根据2025年7月18日的最新公告，日本半导体制造商Rapidus已成功启动2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的原型试制，并完成首批晶圆的电性参数测试。这一突破标志着日本在尖端半导体制造领域迈出关键一步。
据了解，Rapidus在其北海道千岁市的创新集成制造工厂（IIM-1）展示了首块2nm GAA晶体管原型晶圆，并开始电性测试。IIM-1工厂采用全球领先的单晶圆前端处理技术：每片晶圆独立调整并实时监测，通过AI模型分析数据以优化后续生产流程，显著提升良率。这一模式被命名为“快速统一制造服务”（RUMs），是Rapidus的核心创新。
作为日本复兴半导体制造产业的核心，Rapidus的投入也是巨大的，从2023年9月IIM-1工厂破土动工开始，这项举全球之力的芯片制造项目已经耗资超过150亿美元；预计于2027年实现量产。