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感谢测评，金士顿NV3看起来还不错啊！

这两个月用的6块盘 留了7100 p31 p41 970p,卖了44pro 990ep 相当于p41接替了44p 7100接替了990ep

好贴啊，顶顶顶

不过提醒一下，大容量版本的7100在笔记本内最好加散热装置，我的4t版本最高达到过49度主控，85度颗粒。

小黑盒也发了？昨晚刷到过

好帖，收藏了

补充一下，横评时还测了8小时的长时间顺序写入，忘记贴进来了。
在全盘写入测试过程中，在写入曲线中只能看得出致态TiPlus7100 1TB的TLC直写速度是2500MB/s左右，但是其他3位选手都是出缓即WriteBack，降速很明显，并且直到写完全盘，都没完成SLC缓存的释放。
此时有点好奇这4款硬盘的TLC直写速度到底是多少，也想看看随着时间推移，这几款SSD是否能在持续不断的写入过程中，完成SLC缓存的释放，并进入TLC直写阶段。
于是分别进行了时长为8小时的Q32T1 128KB顺序写入测试，每块SSD实际采集到的数据在28000个左右，生成写入曲线图如下：

从图中可以看出一些有趣的信息：
致态TiPlus7100 1TB在第610秒左右就开始TLC直写，写入速度略有波动，不过总体在2300-2600MB/s之间，比较稳定，波动不大。
三星990 EVO Plus 1TB始终没进入传统意义上的TLC直写阶段，与全盘写入测试中的趋势一致，在SLC缓存耗尽后一直维持在1000MB/s左右下的速度，并且波动有点大，最低点甚至降到过100多MB/s，间歇性的有数据尖峰恢复到SLC缓内写入的性能。感觉这块盘有点像是在长时间写入时候，数据都会先进入SLC缓存区间后再同时释放啊？否则没法解释这么低的缓外速度，以及偶发性的速度恢复至SLC缓内性能尖峰的出现。
西数SN770 1TB在写入将近2小时的时候终于进入了稳定阶段，速度维持在1500MB/s左右，只是间歇性的有数据尖峰出现，感觉也像是和三星990 EVO Plus一样，可能在写入时不会进入直写，而是要先去SLC缓存区域过一遍？有知道原因的大佬还请在评论区解惑。
金士顿NV3 1TB的写入速度如图所示，始终稳不下来，总体保持在不到300MB/s的速度，但是频繁有暂时提速的情况，实在是无法确认TLC直写速度。
总的来说在顺序写入这方面，还是致态TiPlus7100明显更快更稳得多。

990evoplus确实热，笔记本无散热片，室温22度垫起机身传文件都跑到82度

勾八致态纯待机温度

sn740和sn770一样吗

7100联名版和原版有何不同？

想知道现在致钛7100 2t版本都在什么价格