650GB版本在持续1.3GB/s写入速度下，温度仅47度，由于SLC芯片和强大主控的加持，温度和功耗控制优秀，也不会让相机很快产生热量堆积。闪迪、雷克沙等TLC方案CFE卡功耗高，温度很快飙升到80度，触发过热保护降速。

现在原生SLC基本灭绝了，都是5-10年前2D平面50nm以上制程，那个时期三星、镁光、英特尔、东芝生产的SLC颗粒最大也就单颗32GB，一张CFE卡最多能容纳4颗NAND闪存，如果用原生SLC颗粒最大只能做到每张卡128GB，EOS R5拍8k raw几分钟就满了，而且原生SLC读写速度都很低，满足不了需求。现在讲求速度和存储密度，都在做3D堆叠颗粒，已经不分SLC、MLC、TLC了，工作在什么模式下取决于你的固件配置，SLC模式存储1bit数据，每个存储单元需要的电压很低，不容易“漏电”导致数据丢失，也因为“压力”低，工作时对周围绝缘材料损耗很少，SLC模式寿命大约很长（5-10万次PE），速度快延迟低发热少。TLC模式每个单元存储3bit数据，给的电压很高，这样才能区分出3bit数据表达的0、1状态，主控工作量大，读写延迟高，寿命也低很多，断电时间长了还可能丢数据。这卡用2T的BiCS4颗粒开650GB，除了贵点（其实一点都不贵）没任何缺点，最低的发热量和功耗，最高的持续写入速度，最长的写入寿命，最好的数据安全性。

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