间内的净磁动势降至最低，从而几乎消除了漏磁场。S-P-S结构则存在严重的局部安匝不平衡，在初级绕组附近产生了强大的漏磁场。
因此，对于需要低初级漏感的应用（绝大多数开关电源），初级包围次级（P-S-P）是远优于次级包围初级（S-P-S）的选择。S-P-S结构的价值在于优化次级性能（如降低大电流输出的铜损），但这通常是以牺牲初级漏感（即开关管应力）为代价的。

五层就只有两种绕法，看起来差不了太多，而且好麻烦。之前拆过一个联想20v4.5a笔记本电源，确实是spsps的绕法。

结果分析与设计策略
影响机制：辅助绕组通常匝数少、电流小，其耦合要求不高。但当它被放置在最外层时，它与次级绕组之间会存在一个很大的“无效”空间，这个空间成为了新的、主要的漏磁通路。原来由最外层初级（P2）提供的“屏蔽”和“耦合”作用消失了，导致从初级侧看进去的总漏感增大。
对您设计的启示：
重新评估开关管应力：增加了辅助绕组后，尤其是采用 P-S-P-A 绕法时，漏感增大了近30%。您必须重新仿真或测试MOSFET的关断电压尖峰，确认您的钳位电路是否仍有足够的余量。
效率会略有下降：因为需要由钳位电路消耗掉的漏感能量增加了。
优化建议：
最佳实践（如果空间允许）：将辅助绕组嵌入到初级和次级之间。例如，采用 P1 - S - A - P2 的结构。这样可以让辅助绕组也能与主绕组良好耦合，同时不破坏外层初级对内部的屏蔽。但这会增加工艺复杂性，并需要满足辅助绕组与次级之间的绝缘要求。
妥协方案：如果只能放在最外层，那么在设计初期就应使用P-S-P-A的漏感值进行仿真和计算，留出足够的余量。
总结：增加最外层辅助绕组后，所有绕法的初级漏感都会增加（约10%-30%），但它们的性能排名顺序不变。P-S-S-P-A 仍然是综合性能最好的选择，但您必须意识到其漏感值已从5.0μH升至约6.2μH，并依此进行后续设计。
✘✘✘把辅助、风扇绕组等其他绕组放到最外面居然是一个错误。ai只建议p绕组放到最外面。

好了，本帖结束。有在看的冒个泡泡。没人吗都？