烧结银和普通导电银胶的区别 随着新能源车的大力发展，宽禁带半导体的封装需要膏导热的烧结银作为焊接材料来增加可靠性，很多朋友不知道烧结银和一般导电银胶的区别，选择总结如下，供大家参考： AS9375烧结银 1烧结温度不同：烧结银是通过纳米银颗粒的独特的表面能，在不需要任何压力的情况下，在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结;普通的导电银胶可以在更低的温度下固化，比如AS6080导电胶可以在90度固化。 2可靠性不同：烧结银冷热

六大系列烧结银助力中国功率器件大发展 所谓的烧结银，又叫烧结银膏，银焊膏等，就是将纳米银颗粒烧结成银块的一种新的高导通膏可靠性的焊接材料，烧结银烧结技术也被称为低温连接技术，产品具有低温烧结，高温服役，高导热，低阻值，无污染等特点。是宽禁带半导体模块中的关键导热散热封装技术。 烧结银技术和市面上所说的高温烧结银浆是两个概念，这里所说的“烧结银"，指的是在低温环境下烧结的纳米银膏。烧结温度一般会在280

新能源车的福音：双面烧结银技术替代焊线技术，提升碳化硅模块的功率 一 利用预涂布烧结银的铜箔替代焊线 2023年初，SHAREX善仁新材协助客户推出GVF9880预烧结银焊片，帮助客户实现了双面烧结银技术的碳化硅模块。银烧结技术在所有连接连接中是高功率模组的不二选择，采用DTS预烧结银焊片GVF9880可以显著提升功率模块的功率循环：芯片连接和焊线被预烧结银焊片统一取代。 善仁新材推出的双面烧结银技术利用烧结温度约为250度的有压纳米银AS9385

IPM和IGBT模块的封装设备，二手设备 Oe 3600铝丝键合机（线径100-500um)。

功率模块（Power Module）是一种集成了功率半导体器件、散热结构和其他关键元件的电子模块。这些模块通常用于高功率、高电流、高压的应用中，以便有效地处理和分配电能。功率模块可以包含不同类型的功率半导体器件，包括IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、SiC（碳化硅）MOSFET或GaN（氮化镓）器件等。 与IGBT的关系： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，通常被用作功率模块的核心组

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

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MOSFET/IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。 EN-1230A分立器件动态参数测试系统，是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统，额定测试电流不超过200A，测试电压不超

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

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对于任何一个器件，在使用之前，无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证，以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试？单脉冲不可以吗？ 在大部分电力电子装置中，负载的电感量都比较大，在IGBT关断后，电感电流一般不会断流，二极管会一直续流，在此时开通IGBT，会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的，

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中： （1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统

一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用，在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂，有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速； 新能源的变流器：风能发电，太阳能发电（光伏）； 稳压开关电源类，高频直流焊机（恒流）等。 其他：谐波治理，高压直流输变电，电磁炉，UPS等等。 三、IGBT的前沿应

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

1、系统概述 ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点： 1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流最大可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。 2、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 3、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转

一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初

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在全球性半导体行业快速发展的今天，以IGBT，MOSFET，晶闸管，第三代半导体器件（SIC）为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、白色家电、交流电机，汽车电子，变频逆变，UPS，电焊机，电源，等领域。下面以IGBT为例：在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降

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1产品概述 EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。 联系易恩 152 4920 2572 2.2规格环境与参数指标2.2.1规格环境与

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