功率模块吧 关注:25贴子:162
  • 2回复贴,共1

半导体IGBT功率器件为什么要测试?

只看楼主收藏回复

在全球性半导体行业快速发展的今天,以IGBT,MOSFET,晶闸管,第三代半导体器件(SIC)为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、白色家电、交流电机,汽车电子,变频逆变,UPS,电焊机,电源,等领域。下面以IGBT为例:在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时,IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高,较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降,同时也会带来大量的电磁污染。因此,正确选择IGBT模块并对其工作环境进行合理的设计可以大大减轻如电气寄生参数治理、热分布管理以及EMI等工作量,不仅能提高产品的可靠性,同时也可以缩短产品的研发周期。半半导体厂商所提供的器件数据手册对设计者有一定的参考价值,但是由于其测试数据本身的不可重复性,使得特定工作环境(环路寄生参数、驱动条件、环境温度等)下的IGBT器件的工作状态难以准确的预测,从而导致器件的实际应用效果与设计之间存在偏差,进而影响整个变换器系统的性能。通过合理的IGBT测试技术,可以得到电路参数对器件特性的影响,如封装和电路的寄生参数、工作电压、电流、栅极驱动、温度等,进而获取能够充分反映模块特性的数据并用于IGBT行为模型的建立。基于大量测试数据建立起来的行为模型能够较为准确地进行开关损耗、电气应力等方面的预测,对提高变流器效率、指导电力电子装置的热设计、对整体装置进行寿命预测以及考量工作环境适应性等具有重要的意义。所以IGBT特性测试成为电力电子领域的一个研究热点。
西安易恩电气科技有限公司,是一家国内自主研发大功率IGBT特性测试系统及测试服务的高新技术企业。联系易恩电气152 4920 2572。 下面为西安易恩电气科技有限公司的简单介绍。
西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。“专业专注,全心服务”是公司健康发展之基础。面向未来,易恩将充分发挥自身的技术创新和服务优势,致力成为国际一流的电力电子测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统,分立器件综合测试仪,功率器件图示系统,晶体管图示仪,MOS动静态测试测试仪,晶闸管测试仪,雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏HTRB、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、新能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。
公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良,具有先进的检测手段,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其品质、技术及工艺方面保持国内领先,部分产品达到国外同类产品的先进水平。
产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业,部分产品出口到欧美等发达国家。


1楼2021-01-26 10:28回复
    西安易恩电气提供半导体器件的测试设备及测试服务
    测试器件 测试参数
    二极管DIODE IR;BVR;VF
    晶体管(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
    J型场效应管J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF
    MOS场效应管 MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON;VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
    双向可控硅TRIAC VD+;VD-;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH-
    可控硅SCR IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH
    绝缘栅双极大功率晶体管IGBT ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS
    硅触发可控硅STS IH+;IH-;VSW+;VSW-;VPK+;VPK-;VGSW+;VGSW-
    达林顿阵列DARLINTON ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;BVCER;BVCEE;BVCES;BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBEON
    光电耦合OPTO-COUPLER ICOFF;ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;CTR;HFE;VCESAT;VSAT;VF(Opto-Diode)
    稳压、齐纳二极管ZENER IR;BVZ;VF;ZZ
    三端稳压器REGULATOR Vout;Iin;
    光电开关OPTO-SWITCH ICOFF;VD;IGT;VON;ION;IOFF
    光电逻辑OPTO-LOGIC IR;VF;VOH;VOL;IFON;IFOFF
    金属氧化物压变电阻MOV ID+;ID-;VN+;VN-;VC+;VCLMP-;VVLMP+;
    固态过压保护器SSOVP ID+;ID-;VCLAMP+;VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、IH-;IBO+;IBO-;VBO+;VBO-;VZ+;VZ-
    压变电阻VARISTOR ID+;ID-;VC+;VC-
    双向触发二极管DIAC VF+;VF-;VBO+;VBO-;IBO+;IBO-;IR+;IR-,
    西安易恩电气科技股份有限公司
    Add:陕西·西安·高新区瞪羚路现代企业中心B1
    Web:http://www.entest.com.cn
    专业供应半导体功率模块、分立器件的动、静态参数测试系统,雪崩、浪涌、功率循环、高温反偏等半导体参数测试及老化试验系列产品,同时提供相应技术支持及测试服务。


    2楼2021-10-21 10:21
    回复
      2025-12-19 16:11:23
      广告
      不感兴趣
      开通SVIP免广告
      一、 概述
      向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初级中会产生较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑器件的雪崩能量。
      功率器件雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试二极管、SCR、MOSFET雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出二极管、SCR、MOSFET的雪崩耐量。该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。

      二、 环境要求
      l 进线电压: AC220V±10%
      l 电压频率: 50Hz±1Hz
      l 功率消耗: 2.2kW
      l 环境温度: 10~50℃
      l 工作湿度: 温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。
      温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。
      l 大气压力: 86Kpa~106Kpa
      l 海拔高度:不超过3000米。
      l 设备尺寸:800*800*1800mm
      l 气源要求:≥0.4Mpa(配备小型静音空气压缩机)
      三、
      技术指标
      l 漏极电压:20-300V±2%,分辨率0.1V;
      l 雪崩能量:1-2000mJ,
      1mJ-100mJ±3%±1 mJ
      100 mJ -1000 mJ±3%±5 mJ
      1000 mJ -2000 mJ±3%±10 mJ
      l 雪崩电流:0.01A-200A,
      1mA-100mA±3%±1mA
      100mA-2A±3%±5V±5mA
      2A-200A±3%±10V±50mA
      l 栅极电压:±30V±2%,分辨率0.1V
      l 雪崩电压:20-2500V,(选配4500V)
      20V-100V±3%±1V
      100V-1000V±3%±5V
      1000V-2500V±3%±10V
      l 电感:100uH、500uH、1mH、5mH、10mH、20mH程控电感,电感量可按挡位自由组合;
      l 电压波形:方波
      l 脉冲宽度:100uS-800mS
      l 测试参数:雪崩电压Vce、单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩功率PAS、
      l 重复脉冲雪崩能量EAR;
      l 重复间隔时间:1-60S,可在软件界面设定,step 1S;
      l 重复次数:1-50次;
      l 采用计算机控制、采样及示波器显示测试波形;
      l 输出方式:分立器件采用开尔文夹具,模块开尔文测试线缆。
      如果感兴趣的话,联系易恩电气李想 152 4920 2571(微信同号)。


      3楼2021-10-26 09:32
      回复