西安源杰科技已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线（源杰几乎是国内唯一的全流程自主可控的高端有源光芯片公司）。
公司的IDM 模式能够缩短产品开发周期，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求；

西安源杰几乎是国内唯一具备北美产能优势的高端光芯片企业。北美基地为26年及以后的业绩爆发、客户拓展、AI布局等，奠定基础。个人认为公司非常有前瞻性、有魄力。长远来看，靠近台积电及最先进的AI制造群，对公司掌握研发方向、产品动态、开发客户等，都有长远的好处。

1）国内产能：陕西西咸新区基地主厂区位于陕西省西咸新区，占地约15万平米；覆盖IDM全流程（设计-外延生长-光刻-封装测试），拥有6条MOCVD外延生产线和12台高频测试机；2024年产能提升至7000万颗/年（含2.5G/10G/25G产品）；主力产品为2.5G/10G光芯片（占营收80%），25G EML芯片（2024年量产）；2024年新增 CW光源芯片产线，70mW产品年产能 1000万颗（2025年目标提升至2000万颗）。

2）北美产能：华盛顿州温哥华基地
动因：规避贸易关税，贴近北美客户（英伟达、谷歌等）；
地点：美国华盛顿州温哥华市东部，租赁15万平方英尺厂房（约1.4万平米）；
产业链配套：邻近台积电（TSMC Washington）、Analog Devices等晶圆厂，利用当地半导体劳动力池；
投资额：首期5000万美元（设备采购+装修）；
时间表：2024年11月通过新加坡子公司增资5000万美元启动建设。2025年5月完成厂房租赁，设备进厂调试（计划2025Q4试产）；
目标产能：预估2026年达产后年产1000万-3000万颗高端光芯片（网络数据，具体数据以公司公开披露数据为准）；
核心产品：100G EML芯片（2025年验证，2026年量产）；高功率CW光源（100mW/300mW），供应北美AI数据中心模块商。

源杰的低端EML芯片、以及DFB芯片，国内市占率已经最高，毫无疑问的光芯片龙头。我们最欠缺最亟需的高端光芯片，要有公司站出来，不能一直落后北美3-6年的巨大差距。源杰的核心看点就是下图中的第一项50/70豪瓦的CW光源、和第六项的100GEML光芯片的量产进度。

100G EML 产品目前已通过部分大客户测试（旭创），随着 CW 光源的放量爬坡，公司产品的可靠性及交付能力得到检验，后续 EML 的导入也会更加容易，EML 产品推进节奏将加速。此外公司紧跟市场需求，初步完成下一代1.6T 光模块所需 200G PAM4 EML 芯片的性能研发及厂内测试。

目前全球高端光芯片仍然呈现紧张局面，26年依旧紧张，100G的EML芯片及配套的DSP、CW光源等都紧缺。光芯片作为光模块核心组件，其紧缺推动光模块价格上涨及行业发展。同时，光芯片扩产周期长，设备到货需6 - 9个月，调试半年，短期难以满足快速增长需求。

光芯片产业分为有源产品和无源产品，其中高端产品的推出能力是评估企业实力的关键；在100G、200G和400G速率的光芯片产品上，国内厂商与海外厂商的差距从4到5年已缩短到半年左右，国内企业在高端芯片能力上的显著提升；光芯片良率问题的重要性，特别是采用IDM模式的公司，从设计、制造到测试的各个环节自主完成，这点非常重要；如果晶圆部分外包外延，可能反映公司高端芯片部分能力较弱，光刻技术和量子性结构技术对光电转换效率起决定性作用；即源杰是IDM模式，仕佳光子的无源光芯片是IDM模式，高端有源光芯片采用Fab-lite模式（轻晶圆厂），25G以上高速有源芯片的晶圆外延片需向三安光电等采购。

由于高端光芯片的重要性及历史技术不足的现实，国际客户普遍不够信任中国公司，所以产品导入期长。公司一方面借助CW光源的出货，逐步导入高端光芯片；一方面在旭创等老大哥的支持下，逐步导入。但国内公司有导入成功的必然性，全球市场高端EML产能不足，巨大的缺口下，国内头部公司如源杰，一定可以分一杯羹，否则也不会建北美基地。
预计26年国内光模块厂商市场份额达60%，而中国尚未出现一家全球范围的大型综合光电公司，这意味着未来将有较大机会培育出几家大型光电公司。源杰的产品在旭创、新易盛的积极导入下，预计放量就只剩时间问题。

CW光源：24Q3源杰70mW CW光源已通过中际旭创导入英伟达供应链，2025年北美产线投产后差距或缩至2年。EML芯片：2025年源杰100G EML通过中际旭创验证。

除了源杰之外，西安还有另外两家光芯片设计制造封测公司，奇芯光电和立芯光电，奇芯光电刚刚拿到新一轮2.6亿元的融资，受益于算力需求，该公司今年年营收将实现倍增