VNH5200ASTR汽车级全集成H桥电机驱动器IC
VNH5200ASTR是一款高性能的汽车级全集成H桥电机驱动器,采用SO-16N封装,具有高集成度、高可靠性和易于使用的特点,适用于各种汽车应用和其他需要高效电机驱动的场合。VNH5200ASTR采用 VIPower®M0技术 ,能够在同一管芯上高效集成具有智能信号/保护电路的真正功率MOSFET。该设备具有多种保护机制,包括过流保护、过热保护和欠压保护,确保电机和驱动器的安全。明佳达2.6A、110V半桥栅极驱动器LM5108DRCR 电机驱动器VNH5200ASTR 汽车微控制器SPC563M64L5COAR

SPC563M64L5COAR 32位Power Architecture MCU
作为片上系统 (SoC) 系列器件,SPC563M64L5COAR 32位汽车微控制器具备多项全新功能并搭载了高性能的90 nm CMOS技术,能够大幅降低每项功能的成本,同时显著提升其性能表现。该汽车控制器采用先进且经济高效的主机处理器内核,其技术核心为Power Architecture®技术。该系列产品对架构进行了改进(包括针对数字信号处理 (DSP) 提供了额外的指令支持),使其能够更好地适应嵌入式应用;同时整合了多项技术(例如经过强化的时间处理器单元、队列模数转换器、控制器区域网络和模块化输入输出系统等等),这些技术对于如今的下端动力系统应用有着至关重要的作用。SPC563M64L5COAR器件采用单层存储器分层结构,其中包含了容量高达94 KB的片上SRAM以及容量高达1.5 MB的内部Flash存储器。此外,该器件还搭载了用于“校准”的外部总线接口 (EBI)。
LM5108DRCR 2.6A、110V 半桥栅极驱动器
LM5108DRCR是一款高频半桥栅极驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥配置的拓扑(例如同步降压、全桥、有源钳位正激式、LLC 和同步升压)中控制两个 N 沟道 MOSFET。LM5108DRCR广泛应用于需要高集成度和低功耗的嵌入式系统。
VNH5200ASTR是一款高性能的汽车级全集成H桥电机驱动器,采用SO-16N封装,具有高集成度、高可靠性和易于使用的特点,适用于各种汽车应用和其他需要高效电机驱动的场合。VNH5200ASTR采用 VIPower®M0技术 ,能够在同一管芯上高效集成具有智能信号/保护电路的真正功率MOSFET。该设备具有多种保护机制,包括过流保护、过热保护和欠压保护,确保电机和驱动器的安全。明佳达2.6A、110V半桥栅极驱动器LM5108DRCR 电机驱动器VNH5200ASTR 汽车微控制器SPC563M64L5COAR

SPC563M64L5COAR 32位Power Architecture MCU
作为片上系统 (SoC) 系列器件,SPC563M64L5COAR 32位汽车微控制器具备多项全新功能并搭载了高性能的90 nm CMOS技术,能够大幅降低每项功能的成本,同时显著提升其性能表现。该汽车控制器采用先进且经济高效的主机处理器内核,其技术核心为Power Architecture®技术。该系列产品对架构进行了改进(包括针对数字信号处理 (DSP) 提供了额外的指令支持),使其能够更好地适应嵌入式应用;同时整合了多项技术(例如经过强化的时间处理器单元、队列模数转换器、控制器区域网络和模块化输入输出系统等等),这些技术对于如今的下端动力系统应用有着至关重要的作用。SPC563M64L5COAR器件采用单层存储器分层结构,其中包含了容量高达94 KB的片上SRAM以及容量高达1.5 MB的内部Flash存储器。此外,该器件还搭载了用于“校准”的外部总线接口 (EBI)。
LM5108DRCR 2.6A、110V 半桥栅极驱动器
LM5108DRCR是一款高频半桥栅极驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥配置的拓扑(例如同步降压、全桥、有源钳位正激式、LLC 和同步升压)中控制两个 N 沟道 MOSFET。LM5108DRCR广泛应用于需要高集成度和低功耗的嵌入式系统。









