专业向性能测试
1.全盘写入曲线
为了深入探索2款SSD的SLC缓存方案,这里我们分别对其进行RAW格式下的全盘范围顺序读写测试(128KB,Q32T1),并放到同一张曲线图中为大家展示。
从图中可以明显看出,三星9100 PRO 2TB和致态TiPro9000 2TB在SLC缓存方案上存在极其显著的区别。

用一句话来总结就是,三星9100 PRO的SLC缓存容量更大,但是SLC缓内写入速度要略低于致态TiPro9000,而大家比较关心的缓外写入速度,几乎只有致态TiPro9000的1/3左右。
下面我们来详细解析一下:
首先,在空盘状态下,三星9100 PRO 2TB的SLC缓存容量为480 GiB左右,而致态TiPro9000 2TB为292 GiB左右,这代表着在面对爆发式写入场景时,三星9100 PRO能比致态TiPro9000提供更长的加速区间。
那么三星的这种SLC缓存方案就真的比致态强吗?其实不然,个人觉得这更像三星的无奈选择,是为了尽量避免暴露孱弱的缓外写入速度所致。

从曲线图中可以看到,三星9100 PRO 2TB采用了WriteBack惩罚前置的方案,SLC缓内写入速度为12578 MiB/s左右。
SLC缓存耗尽后,SSD一边将SLC缓存中的数据重新释放为TLC区域,一边还要兼顾新数据的写入,写入性能有所下降,速度骤降至1203 MiB/s左右。
在经历短暂的GC过程后,三星9100 PRO 2TB的写入速度略有上升,但依然只有1407 MiB/s左右,这个水平甚至不如许多PCIe 4.0 SSD的表现,属实是让我大跌眼镜。

反观致态TiPro9000 2TB,采用了WriteBack惩罚后置的方案,SLC缓内写入速度为12988 MiB/s左右,比三星9100 PRO略快了一点点。
出缓后,致态TiPro9000 2TB立刻进入第二段TLC直写阶段,并且直写速度达到了惊人的3704 MiB/s左右,几乎是三星9100 PRO 2TB的三倍。
当TLC区域全部写完后,致态TiPro9000 2TB进入第三段WriteBack惩罚阶段,即便如此,在第三段的平均速度也能达到1656 MiB/s左右,依然要比三星9100 PRO的第三段速度更快。

三星9100 PRO 2TB如此低的出缓写入速度,导致它在写入一次全盘的耗时达到了1056秒,平均写入速度也只有1805 MiB/s。
而致态TiPro9000 2TB写入一次全盘的耗时仅有615秒,几乎只有9100 Pro的一半多点,平均写入速度也达到3172 MiB/s,这几乎已经到了吊打9100 Pro的程度。

最为夸张的是,三星9100 PRO 2TB的全盘写入表现已经颇为不佳了,它的4TB版和致态TiPro9000的差距更加巨大——
之前我详细测试过致态TiPro9000 4TB,其TLC顺序直写速度达到了翻倍的7604 MiB/s;而看了其他博主对三星9100 PRO 4TB的测试报告,缓外写入速度虽然有所提升,不过还是只有2000 MiB/s左右……这个就真的让人很难崩了。

按理说,三星9100 PRO使用了990 Pro同款的三星V8 TLC闪存,怎么说也有着2400MT/s的接口速度,没理由还不如990 Pro的全盘写入曲线好看,只能猜测三星为了压制Presto主控的发热,人为限制了闪存颗粒的性能发挥。