BS-PDN就是吧power delivery和signal wire分离，如下图所示。

应该可以把频率标更高吧？

芯片背部供电，是在芯片单晶硅衬底背面，用半导体工艺穿孔，引入供电线。晶体管电路供电电压电流更稳定可靠。
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打比方，家里大功率家电供电电线，就是要粗短，和小信号网线分层分开布设（就是 信号层 逻辑电路连接线层，和供电 功率层 分层布线，利于优化布线，对小信号干扰也小）
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芯片前部正面供电，信号线和功率供电线 混合布设，层层制作，供电线也太细，会影响芯片性能（比如：稳定工作频率更高，功率发热也会降低，芯片内部供电导线连接失效故障之类概率也会降低）

芯片背部供电，要衬底背部穿孔，信号层 功率层，分开设计及工艺布设制作， 晶圆制作工艺步骤会增加一些，成本会增加一点

减少了传输过程的电阻，所以晶体管两端达到相同电压的情况下所需的供电电压更小（更省电），反之同样的供电电压下晶体管两端的电压更高（更能超）；同时由于减少了布线之间互相“卡位”，所以密度能提高一点。代价则是成本高些

提升幅度