4.全盘写入曲线分析
为了深入探索铠侠VD10 1TB的SLC缓存方案，这里我对其进行RAW格式下的全盘范围顺序写入测试（128KB，Q32T1），并以曲线图的形式为大家展示。
从图中可以看到，铠侠VD10的写入曲线还是分为三段式的，并非全盘模拟方案。
其中SLC缓存容量在200GB出头，缓内写入速度和CDM测试结果基本一致，维持在8000 MiB/s多点儿。
出缓之后疑似进入TLC直写阶段，速度骤降，保持在800-900 MB/s左右。
而第三段的Writeback阶段，由于SSD要进行GC（垃圾回收）操作，速度进一步降低，维持在400 MB/s左右。
测到这里时其实我都有点不敢相信这第二段真就是TLC直写速度了，于是再次对铠侠VD10进行了两倍于全盘容量的顺序写入测试，记录曲线图如下：
这次可以看到，铠侠VD10在持续写入过程中完成GC之后，重新回到了TLC直写阶段，所以它的颗粒直写性能真的就只有800 MB/s左右。
5.SLC缓外4K随即读取速度
我们使用CrystalDiskMark、TxBench等测试软件时，软件在进行测试前，会先向消费级SSD的SLC Cache中写入一个测试用的文件，然后在这个测试文件的容量范围内进行一系列读写操作。
这也即是说，使用此类软件对这个测试文件进行随机读写测试时，实际是在SLC Cache中内进行的。
而我们日常使用电脑时，打开软件或者加载游戏等操作，所访的数据通常位于SLC缓存之外的区域：
这也说明，像CrystalDiskMark这类软件的测试结果，其实并不能完全代表我们的实际使用场景，所以为了贴近实际，有必要排除SLC Cache的影响后，再对SSD的随机读取速度进行测试。
这里我以128KB QD32顺序写入填盘2遍后，再对铠侠VD10进行15分钟的Q1T1 4K随机读取测试，最终得到了如下图所示的SLC缓外4K随机读取速度曲线。
可以看到，铠侠VD10 1TB在SLC缓外直读的情况下，真实的4K随机读取速度其实是50.32 MB/s左右。
6.FOB状态混合随机读写
为了观察SSD在最理想的情况下，主控与颗粒的最佳表现，这里在Ubuntu 24.04中，使用FIO 3.36脚本再对铠侠VD10进行了一遍更加完整的，不同队列深度、不同混合读写方案下的测试，目的就是为了观察SSD在经过SLC Cache加速后的性能上限，从而衡量主控、颗粒和固件的调校水平。
这里将测试结果整理如下，方便大家和其他SSD横向对比：
可以看到铠侠VD10虽然绝对IOPS不算特别高，但是出人意外，对于随机读写延迟调校得相当不错啊，尤其在混合随机读写的图表中更明显。
7.温度测试
过往群联E26、英韧IG5666等初代Gen5主控芯片的功耗和发热都比较高，这也使得早期的产品大多需要主动散热器才能压得住温度，搞得大家下意识觉得Gen5 SSD都是大火炉。
不过包括铠侠VD10在内，今年新发布的一批Gen5 SSD都显著改善了这个问题，新硬件方案中大多采用了制程更先进的主控芯片，大幅降低了使用时的温度，在大部分场景下使用被动散热器就能稳稳压住。
而铠侠VD10由于最高功耗档位只有5.8W，仅为旗舰级Gen5有缓SSD的60%左右，在温度方面的压力就更小了。
所以这里在室温22.6℃的环境下，给铠侠VD10配了个最便宜的被动散热器，然后安装在无主动气流散热的开放式机架上，然后观察其在CrystalDiskMark测试过程中的温度变化。
（这里没有用店铺赠送的散热片是嫌拧螺丝固定太麻烦，所以还是选择用8块钱买来的免工具散热器来压制）
将测速过程中的温度变化和读写速率记录汇总成以下的曲线图，可以看到在单凭被动散热器压制的情况下，铠侠VD10全程最高的传感器回传温度为50℃，还是比较凉快的：
再检查下CrystalDiskMark的测试结果，确认没有发生明显降速：
温度低，速度不慢，当个缓存用
恰索夫亚尔
