设备特点●可满足闭管干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、扩散、退火常压、退火/推进、合金等工艺●采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；●具有友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；●具有多种工艺管路，可供用户方便选择；●具有强大的软件功能，配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；●恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；●具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能； ●可根据用户要求定制产品。 技术指标●适用晶片尺寸 ： 2~8英寸圆片●工作温度： 600℃～1300℃； ●可配工艺管数量：1~4管/台●恒温区长度及精度：≤±0.5℃/600~800mm （800℃～1300℃），● 单点温度稳定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）； ●温度斜变能力：最大升温速率20℃/min，最大降温速率5℃/min； 应用范围　　半导体集成电路、先进封装、电力电子（IGBT）、微机械（MEMS）、光伏电池（Photovoltaic）制造等领域，适用2~8英寸工艺尺寸扩散、氧化