中国芯吧 关注：15,507贴子：295,746
- 7回复贴，共1页
不感兴趣
开通SVIP免广告
最近铺天盖地的言论说国内自研光刻机不行， EUV 短期无法实现，DUV-i 及 DUV-2 还无法国产等，全部都是 1450 搅浑水，用激将法诱使一些知道少量消息的人爆料的故伎重演。
华为的麒麟9010，连国外的几家半导体网站都专门报道证实了，芯片上找不到 ASML 特有的，二次曝光校正专用的印记，这表明 9010 是用国产的 浸润式深紫外光光刻机制作，即纯国产 DUV-i。9010 芯片的平均效率，明显比 9000s 有进步，说明国产 DUV-i 达到了或微超出 ASML 的同类产品性能。
现在的麒麟 9020，反而回到了 ASML 的老路，却加进了 chiplet 等多年前就已经在研的新技术，这说明了什么？ 这就证明了，当年用 ASML 设备试生产新一代麒麟芯片时，华为至少有两个团队提出了两个不同方案，一个就是 9000s，另一个就是 9020。当年，应该这两个方案都流片了，性能较低的 9000s 设计，去年就上市，而试生产的 9020 由于性能优秀，所以堆了一年，今年才发售。
9010 是用了类似 tik tok 的策略， ASML 小改 用于 9000s, 9020，DUV-i 就用于 9010 及明年上市的某 5nm 芯片。
很多人看不起 DUV，但实际上它是最后一种还能用透镜进行聚焦的光源，功率损耗及系统复杂度要比 EUV 低得多，而且 ASML 的 DUV 数字光圈只做到 1.36 就改成 EUV 去坑客户更多的钱了，实际上国内是有很强的能力，能达到数字光圈 NA 2.0 的。浸润式光刻机，用的是纯水作二次的折射层 NA 1.33，但用粘度低的不导电的有机液体，很容易就可以达到 NA 1.6。综合这些因素，一台超级 DUV-2i，性能会十分接近 EUV，而 EUV 的最大问题，是由于波长太短，所有不同液体的分子都能吸收它，因此 EUV 沒法采用浸润方式进一步缩小光束，反而制约了 EUV，再者 DUV 的 数字光圈 NA 2.0 及有机液体 NA 1.6 还不是极限，仍存在微量上调的可能性。
之前华为公开的六重及七重图案光刻专利，很多人不懂，就胡乱踩华为。其实， 假如用 ASML 的 DUV-i 做 5nm，单次曝光，可以做两重图案，因此两次曝光，能做 4重 图案，勉强 “接近” 5nm。 华为的6重图案，实际上就是单次曝光，做 3重 图案，两次曝光，就是 6重。 单次曝光做 3重 图案，并不是什么新东西，以前国外也做过同样的研究，由于较复杂，加上 ASML 强过推出 EUV，导致这个研究被放弃。现在，华为一定是在光刻胶，掩膜设计，蚀刻等方面，有了全面突破，即做到了单次曝光，3重图案，才有底气公布 6重，甚至7重图案的光刻专利。由于 9010 的出现，甚至有理由相信，国内的光刻校正设备的精度，甚至在 EUV 层面，会比 ASML 还高。
现在 1450 们跳得这么高，反而可以确定的，国产 EUV 确实已通过认证了。
华为的麒麟9010，连国外的几家半导体网站都专门报道证实了，芯片上找不到 ASML 特有的，二次曝光校正专用的印记，这表明 9010 是用国产的 浸润式深紫外光光刻机制作，即纯国产 DUV-i。9010 芯片的平均效率，明显比 9000s 有进步，说明国产 DUV-i 达到了或微超出 ASML 的同类产品性能。
现在的麒麟 9020，反而回到了 ASML 的老路，却加进了 chiplet 等多年前就已经在研的新技术，这说明了什么？ 这就证明了，当年用 ASML 设备试生产新一代麒麟芯片时，华为至少有两个团队提出了两个不同方案，一个就是 9000s，另一个就是 9020。当年，应该这两个方案都流片了，性能较低的 9000s 设计，去年就上市，而试生产的 9020 由于性能优秀，所以堆了一年，今年才发售。
9010 是用了类似 tik tok 的策略， ASML 小改 用于 9000s, 9020，DUV-i 就用于 9010 及明年上市的某 5nm 芯片。
很多人看不起 DUV，但实际上它是最后一种还能用透镜进行聚焦的光源，功率损耗及系统复杂度要比 EUV 低得多，而且 ASML 的 DUV 数字光圈只做到 1.36 就改成 EUV 去坑客户更多的钱了，实际上国内是有很强的能力，能达到数字光圈 NA 2.0 的。浸润式光刻机，用的是纯水作二次的折射层 NA 1.33，但用粘度低的不导电的有机液体，很容易就可以达到 NA 1.6。综合这些因素，一台超级 DUV-2i，性能会十分接近 EUV，而 EUV 的最大问题，是由于波长太短，所有不同液体的分子都能吸收它，因此 EUV 沒法采用浸润方式进一步缩小光束，反而制约了 EUV，再者 DUV 的 数字光圈 NA 2.0 及有机液体 NA 1.6 还不是极限，仍存在微量上调的可能性。
之前华为公开的六重及七重图案光刻专利，很多人不懂，就胡乱踩华为。其实， 假如用 ASML 的 DUV-i 做 5nm，单次曝光，可以做两重图案，因此两次曝光，能做 4重 图案，勉强 “接近” 5nm。 华为的6重图案，实际上就是单次曝光，做 3重 图案，两次曝光，就是 6重。 单次曝光做 3重 图案，并不是什么新东西，以前国外也做过同样的研究，由于较复杂，加上 ASML 强过推出 EUV，导致这个研究被放弃。现在，华为一定是在光刻胶，掩膜设计，蚀刻等方面，有了全面突破，即做到了单次曝光，3重图案，才有底气公布 6重，甚至7重图案的光刻专利。由于 9010 的出现，甚至有理由相信，国内的光刻校正设备的精度，甚至在 EUV 层面，会比 ASML 还高。
现在 1450 们跳得这么高，反而可以确定的，国产 EUV 确实已通过认证了。
