英特尔雄心勃勃的 18A 节点在临近量产时正面临两个重大障碍：良品率徘徊在 10% 以下，SRAM 密度与台积电的竞争产品 N2 工艺相比处于劣势。
最近有报道指出，英特尔在 18A 节点上正面临着巨大的良率挑战，可能会推迟其量产时间。 据韩国《朝鲜日报》报道，目前的良品率低于 10%，这意味着每生产 10 个芯片就有近 9 个存在缺陷。尽管如此拉胯，18A的指标也不如台积电N2先进。
三星 3 纳米以下工艺的代工良率目前低于 50%，其 Gate-All-Around (GAA) 技术的良率据称低至 10%至 20%。
最近有报道指出，英特尔在 18A 节点上正面临着巨大的良率挑战，可能会推迟其量产时间。 据韩国《朝鲜日报》报道，目前的良品率低于 10%，这意味着每生产 10 个芯片就有近 9 个存在缺陷。尽管如此拉胯，18A的指标也不如台积电N2先进。
三星 3 纳米以下工艺的代工良率目前低于 50%，其 Gate-All-Around (GAA) 技术的良率据称低至 10%至 20%。
