半导体同时掺杂施主杂质和受主杂质

假设施主杂质浓度大于受主杂质浓度，施主杂质是先电离后填充受主能级，还是先填充受主能级后电离呢。
我看第一个图片的意思是先填充后电离，但第二个图片的意思好像是先电离后填充受主能级（没理解错的话），这样的话n0的公式不应该是我写的那个样子吗（第三张图片）

先补偿吧，算到迁移率的时候好像要分开

不感兴趣

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导电能力回退，绝缘能力也减弱。

我觉得应该是先与受主杂质补偿，因为电子填充受主能级是电子向下跃迁，电离进入导带是向上跃迁，理所应当的是先填满低能级再向高能级跃迁，你写的这个第一个公式好像有问题，ND＝（nd+）+nd＝NA+no+nd，所以no＝ND-NA-nd，如果强电离，nd约等于0

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