老师，能否像23楼那样把这个电路画成个实体图？我是新手对电路图还很模糊看得不是太清楚，我想做个可调的直流电源。谢谢！

这个贴子有个可调直流电源的电路图.你可以百度一下 W317应用电路图.很简单的. 

将两个pn结头对头连接起来如下图

然后分别测量两边的工作状态，与单独使用一个pn结没有区别，但是当将右侧的pn结反向加压，左边的正向加压有趣的事情发生了，右边的pn结并没有因为反压而不导电，而是随着左侧的电压增加而产生了电流，这个现象是三个物理学家在贝尔实验室发现的并因此而获得1965年诺贝尔奖，他们是：威廉.肖克利， 沃尔特.布拉顿，约翰.巴丁。
其实道理很简单，前三讲说过，加压后，电子和空穴穿越pn结的耗尽区向各自反方向电极运动形成电流，但当两个p半导体夹住一个薄薄的n半导体后，右侧反压可以很大（人为地）此时如下图，空穴被反压吸引，形成电流。

注意的是，不能用两个二极管头对头连接，而是指结构类似如此，必须是在一个整体中，两个p型半导体夹住一个薄薄的n型半导体，在分子结构上产生的上述作用，同时正偏置的一侧的p型区我们将它叫做发射区，n型半导体叫做基区，反偏p型半导体叫做集电区，这个双结结构叫做半导体三极管，同理有pnp结构如上，也有npn结构，一般pnp为锗管，npn为硅管。

用符号表示

工作特性，用下面的电路进行测试

在V上我们先将Uce调整到5V 然后调整Ube 使电流表A3指示4-5ma 然后增加Uce，从5v开始直到40V 你会看到 Ic 一直保持 4到5毫安左右，绘制一张测试图如下

理论上不论Uce如何增加，集电极电流都不会增加，但在实际中会有小小的变化
将电压Uce恢复到5V，然后增加基极电流，每次0.2ma 即 第一次0.2，第二次0.4然后在每次增加后进行Ic的测量，测量法如上，仍然是5V一档增加到40V绘制曲线如下

但是当基极电流达到一定值后集电极电流就不再增加了，同时可以得出实验结果如下
1.基极电流微小的变化可以使集电极电流产生较大变化。
2.基极电流+发射极电流=集电极电流。
3.基极电流达到一定值集电极电流不再变化，此时晶体管的状态称作“饱和”，和人一样吃饱了就不干活了，呵呵。同理，没有基极电流就没有集电极电流此时称为“截止”。没饭吃当然不干活了，呵呵。
4.每个晶体管不太一样，同样的测试电路，集电极电流不太一样，这个就是晶体管的放大倍数β决定的了，即使是同一批的晶体管β也会有几十的区别例如从 20-150都有可能，表现在测试中为 Ic=β*Ib，这个结论很重要，要记住。
例如： β=Ic/Ib=4.2ma/0.2ma=21。
如此就可以自己做一个测量晶体管放大倍数的小电路了：



还是用哪个测试电路，稍加改动如下

可以看到，我们将输入这半边的电源去掉了，当有新号正半周到来的时候，相当于将正偏置电源加上了，于是输出有一个较大的正电压，状态同输入信号，而负半周的时候是相当于反偏置，所以pn结不能导通，输出就没有了，那么如何保证正负半周都能得到良好的放大呢？
这个时候就需要对晶体管电路进行偏置设置，看看下图，样子就是我们测试基极电流和输出电流的那个，但是有点改动：

我们将基极加一个小小的偏置电流例如上图中的q点，叫做静态偏置点，当信号使基极电流在0.2到0.5变化时得到Ic在5毫安到8毫安之间的变化，如果负载是1k那么根据欧姆定律可以得到3V上下的变化，这就是放大器的基本原理，如何偏置呢？按照典型的电路应当是这个样子的：

但是这个电路用了两个电源，非常不方便，如何改进成为用一个电源呢？很简单的，只要使用两只电阻做一个分压器，将分出的电压加在晶体管的B E两端就可以了，如下图

这里R1，R2构成了分压器，分压点的电压根据欧姆定律除以RE和BE之间的电阻之和应当等于偏置点Q上的电流，CE用来短路交流成分，以减少RE等代理的副作用，RE是电流负反馈电阻，当Ic变化时，RE上的电压也变化，此时加在be之间的电压就会变化，因为R1R2的分压比没有变化，所以就稳定了静态工作点，RC是负载电阻（不准确，以后另论），Ic的变化带来RC上电压的变化，经过输出电容隔直流后输出，如果没有隔直流电容后面的电路的电阻会影响前面电路的工作点，这是我们不想看到的。

不错

顶了再说，不知道之后会不会看。

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嗨嗨嗨

前面讲过了从PN结到放大器的原理，那么下面讲解一下三种典型的放大器电路
共发射极电路
共基极电路
共集电极电路
所谓共什么极电路意思为 输入和输出的信号共有4条线，分别是地线，输入信号线，地线，输出信号线，由此可见在非放大器电路中可以将两个地线连接在一起，形成三条线 输入、输出、地线，地线共用，在放大器中也一样，例如共发射极电路就是将输入输出的共用线接在发射极上，基极输入信号，集电极输出信号，例如典型的共发射极电路如下：

从图可以看到输入端和输出端共用了发射极，由于对于低频信号而言C1相当于短路，所以发射极是输入输出端共用的。
和前面的从PN结到放大器中讲到的一样R1R2构成分压器提供偏置电压和电流保证Q点。
因为基极到集电极反向偏置，不导电，所以共发射极电路输出阻抗高。
原件值的估算，一般发射极电阻100Ω到1k左右，R2是其 5-10倍，R1是R2 10倍左右，R4是R3的5-10倍。
一般共发射极电路的输入阻抗是R2的值，有人会有疑问，发射极电阻加上导通的基极和发射极之间的电阻很小，并联在R2上应当以他们为准，对，如果没有晶体管的放大量β是这个样子的但是β将发射极电阻放大了，β=50 如果R3=1k 则产生的电阻是50K。
共发射极电路 电流增益 Ai=R2/R3
电压增益 Av=R4/R3
功率增益Ap=Ai*Av=R2×R4/R3*R3
共发射极电路输入输出阻抗高，功率增益大，不依赖于温度变化，是最常用的电路

上面信号画错了输出和输入是相反的才对，共发射极电路时倒相输出

谢谢师傅为我们讲解 !给您鞠躬 ,祝您劳动节快乐 ! 

共基极电路如下图

特点 放大后的信号与输入同相，输入阻抗小，半导体效应发现者诺贝尔获奖者肖克利认为应为
Zm=26/Ie
当发射极电流为1mA时，输入阻抗 26Ω。
同理 基极与集电极之间是反向偏置，所以输出阻抗很大，一般数值为R4的阻值，因为其并联在三极管反偏的bc之间而反偏的pn结电阻极大，所以输出阻抗基本等于R4的电阻值。
共基极电路电流放大倍数不大，接近于1
Ai=Io/Ii=Ic/Ie 因为Ie≈Ic 甚至还少个Ib 所以 Ai=0.9-0.99之间。
电压增益 Av=a×R4/Zm=a×Ie×R4/26
功率增益 Ap=Av×Ai 一般为310左右
所以共基极电路特点 比较小的输入电阻，比较大的输出电阻 输出功率为输入功率的310倍，另外 共基极电路不稳定，容易自激。