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求助mos管逻辑怎么判断啊

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  • 小🌲涅
  • 中级粉丝
    2
该楼层疑似违规已被系统折叠 隐藏此楼查看此楼
有没有大佬能讲讲cmos和nmos逻辑判断方式啊,比如这种这一类,不一定要原理,怎么解题或思考都行


  • 贴吧包打听
  • 初级粉丝
    1
该楼层疑似违规已被系统折叠 隐藏此楼查看此楼
回复2楼楼中楼吧友 @小🐭🌲涅 :MOS管的逻辑可以通过其开关状态来判定,主要分为以下三种:1. 导通状态(Turn-ON):当加正向电压时,即Vgs大于Vth时,扩散电流远大于漂移电流,可忽略掉漂移电流的影响。此时为导通状态也称工作态或饱和态。对应的等效电阻是几十到几百毫欧姆。2. 截止状态(Turn-OFF):当加反向电压时,即Vgs小于0且绝对值大于Vt时,此时的管子相当于一个电容C,基本上不导电也没有Ib和Ic所以就没有放大作用了。对应的等效电阻无穷大。3. 可变电阻区或者叫线性区域(Linear Region):当加电压在导通与截止之间的时候就是处于这个状态。对应的电阻是一个变化的数值。一般应用在这个区域的管子的特性都不是很好,因为它的效率不高。需要注意的是,不同的MOS管可能会有不同的参数特性和偏置条件,因此在具体的应用中需要根据实际的产品规格书来判断其逻辑输出情况。


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