功率模块（Power Module）是一种集成了功率半导体器件、散热结构和其他关键元件的电子模块。这些模块通常用于高功率、高电流、高压的应用中，以便有效地处理和分配电能。功率模块可以包含不同类型的功率半导体器件，包括IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、SiC（碳化硅）MOSFET或GaN（氮化镓）器件等。
与IGBT的关系：
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，通常被用作功率模块的核心组成部分之一。IGBT是一种高压、高电流开关器件，通常用于控制大功率电流和电压的应用，如变频器、电力逆变器、电动机驱动器、电力电子变换器和电力传输系统等。IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管（Bipolar Transistor）的特性，具有MOSFET的高速开关能力和Bipolar Transistor的高电压容忍能力。
功率模块通常包括多个IGBT器件以及与之相关的驱动电路、散热结构和保护功能。这些模块的设计旨在简化大功率电子电路的开发和集成，同时提供高效率和可靠性。功率模块可以用于各种领域，如电机控制、电力电子、电能转换和电力传输等。
总之，功率模块是一种集成了功率半导体器件（如IGBT）以及与之相关的电路和结构的模块，用于处理高功率、高电流和高电压的电能，并在各种应用中提供精确的电力控制和分配。
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