VCSEL、LED、边缘发射和光纤激光器用于市面上许多敏感应用。为了保证器件的高质量，必须分析光束轮廓，但这些宽且发散的光束对测量系统提出了特定的要求。
一方面，传统光束分析仪的孔径太小，无法收集大光源或发散光源的整个光斑。
另一方面，发散光束无法用常规探测器精确测量，因为探测器的量子效率高度依赖于入射角。
随着 Ophir 宽光束成像仪 WB-I 的开发，这些困难已得到解决，WB-I 是一种用于光束分析相机的校准光学附件。
一、应用和限制
有多种类型的宽光源或发散光源，例如 LED 或光纤照明器，可以使用宽光束成像仪进行测量，但其主要应用是 VCSEL 的远场测量。垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 是一种半导体激光二极管。与边缘发射激光二极管不同，VCSEL 向上发射，因此可以轻松封装为在单个芯片上包含数百个发射器的发射器阵列。
低功率 VCSEL 用于高速数据通信、3D 传感(如手势和面部识别)和接近传感器，而高功率 VCSEL 则指定用于 LIDAR 和其他遥感应用。许多这些应用程序都依靠电池运行，因此需要最大限度地降低功耗。为了确保 VCSEL 器件正常运行，必须测量和分析 VCSEL 功率、光束轮廓和噪声。虽然测量 VCSEL 辐射功率的方法有很多，但分析其输出光束通常需要笨重的实验室设备，这些设备不适合生产线，也不方便进行“原位”测试。
第二个挑战围绕入射角：标准探测器(例如硅基光电二极管或 CCD 传感器)的量子效率很大程度上取决于入射角 - 每 15 度，量子效率高达 10%。因此，它们无法准确测量发散光束。WB-I 捕获光束并将其功率分布成像到相机上，精度优于 5%。让我们看看如何实现这种精度。
更多详细内容http://www.bonadtest.com
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另一方面，发散光束无法用常规探测器精确测量，因为探测器的量子效率高度依赖于入射角。
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一、应用和限制
有多种类型的宽光源或发散光源，例如 LED 或光纤照明器，可以使用宽光束成像仪进行测量，但其主要应用是 VCSEL 的远场测量。垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 是一种半导体激光二极管。与边缘发射激光二极管不同，VCSEL 向上发射，因此可以轻松封装为在单个芯片上包含数百个发射器的发射器阵列。
低功率 VCSEL 用于高速数据通信、3D 传感(如手势和面部识别)和接近传感器，而高功率 VCSEL 则指定用于 LIDAR 和其他遥感应用。许多这些应用程序都依靠电池运行，因此需要最大限度地降低功耗。为了确保 VCSEL 器件正常运行，必须测量和分析 VCSEL 功率、光束轮廓和噪声。虽然测量 VCSEL 辐射功率的方法有很多，但分析其输出光束通常需要笨重的实验室设备，这些设备不适合生产线，也不方便进行“原位”测试。
第二个挑战围绕入射角：标准探测器(例如硅基光电二极管或 CCD 传感器)的量子效率很大程度上取决于入射角 - 每 15 度，量子效率高达 10%。因此，它们无法准确测量发散光束。WB-I 捕获光束并将其功率分布成像到相机上，精度优于 5%。让我们看看如何实现这种精度。
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