我早前已发过文章讲述技嘉Z690主板超频CPU的简单教程，得到回应较多，也确实能帮到部分喜欢超频的同学，那么既然CPU超频了，相信很多人对内存超频也跃跃欲试，但苦于没有一个较好的帖子针对某个颗粒型号的内存进行超频细讲，并且在网上可搜索到的大部分是装模做样炫耀放张图，但却没有任何调节细节的讲述，这可馋到广大网友并且又让广大网友超频失败心灰意冷。我这次超频的内存对像选择了英睿达铂胜3200频 C9BJZ颗粒套装内存，上图有战神4及吃鸡PUBG两个游戏几分钟的时间对比截图，以及几张参数图，只为表达超频稳定成功绝非炫耀。这里啰嗦再提醒广大网友，超频涉及风险，而各家平台硬件体质不一，请自行学习研究，切勿生搬照抄，后果自负。
废话不再多说，我总共提供了两套时序，全部稳定，你喜欢用哪种，或你能超到哪一种，就用那种便是，一个是3733MHz C14-19-19-36 CR1，内存电压1.5v，第二时序只选AUTO，CR选1。 另一个是4000MHz C16-21-21-38 CR1，内存电压1.45v，第二时序有变化。一般图中会有绿字说明：
1. 开机按DEL键进入BIOS，恢复一次出厂设置重启，再次DEL进入BIOS，按F2进入Advanced Mode
2. 如有XMP请设置为Disabled,即禁用。找到System Memory Multiplier, 选择DDR4-4000
3. 找到Gear Mode，选择Gear 1模式
4. 找到Internal VCCSA，按下1.25v
5. 找到DRAM Voltage, 按下1.45v
6. 找到Advanced Memory Settings进入，找到Memory Channels Timing进入，分别填入数值：CAS Latency为16，tRCD为21，tRP为21，tRAS为38，（此时应该按下F10保存退出，可进入系统稳定过测试后，才再返回来，继续trrd_L为4，trrd_L为6，tfaw为26，Command Rate（tcmd）为1，F10保存退出）
7. 以是文字属于4000MHz C16-21-21-38 CR1的设置。
说明：
1.请更新最新BIOS版本，更新完毕后进入BIOS载入预设优化出厂设置，并且启用XMP，F10保存进入WINDOWS，才再重启进入BIOS，关掉XMP，然后正式开始内存超频之旅。
2.当你发现超频失败无法启动电脑，可拔掉电源线主机完全断电，一般普通主板按压主板电池卡扣位让电池弹起10秒，断电BIOS记忆体擦除旧数据，才还原安装好电池，通电开机。
3.除非确定你的CPU所超的频率绝对稳定，否则一律先将内存超频稳定后，才再超频其他硬件。这个做法可以更精准判断哪一项问题导致超频失败。
4.如有条件，请尽量使用独立显卡，并且BIOS里关掉集成显卡，此选项可增加发掘内存超频潜能。如果你属于喜欢到处加点电压那种人，建议临时拔掉机械硬盘，只保留系统固态硬盘更佳。
5.同一根内存，一线品牌主板厂对此内存也有不同的XMP参数预设值；同牌子不同系列的主板也有各自不同的超频能力，例如主板PCB层数，走线，供电用料，BIOS调校等等，总之，越贵的主板越会在内存超频上下功夫。请谨记，我行不一定你行，你更行我不一定跟得上你，所以处事要尽量客观谦逊。
6.内存有许多不同的颗粒，有人说三星B-Die更吃电压，确实。有人说美光C9不要长期超过1.45伏，胡扯！超频内存第一手法，先超电压。这篇介绍的是英睿达铂胜C9，首先电压直接定在1.5伏，如果这样你都心惊胆战，睡觉去吧，超频不适合你。这只不过是温热的电压，看图我压力测试直接用手摸内存。有些人还拿什么探温枪，你是不是来搞笑的嗯？
7.我的内存时序主板参数等，包括断电隔夜开机，经过长期测试验证稳定，为迎合大众，我特意使用两套不同频率与时序的作业，也提供了游戏实际对比图，给大家参考学习，方便大家因地制宜，改选另一套配置达到超频目的。
8.如果你是一个耐心的超频爱好者，在获取了内存XMP第一时序，第二时序主板上内存数据后（BIOS会有显示），应该在第一时序中第一项CL值开始填入你期待的数值，例如14，顺利启动电脑后，跑一次内存压力测试后再调节地二项tRCD值，依次类推，这个超频动作实际是又能摸清内存超频潜力，又可提高了超频效率。
9.至此，我提一下我的观点，给超内存的同学泼盆冷水：你都选了12代带K的CPU了，相信玩游戏的你，显卡也不会太差，至少也有个GTX1660S吧，玩些网游基本都60FPS以上了还不止，也就吃鸡热闹点，其他3A巨作我实在难以区分3600以上内存频率游戏中的区别，连关键的流畅画面考核标准1%LOW也区别不了，有这精力还不如去折腾一下显卡哩。
一些关于DDR4内存的相关认知要点：
1. 由于12代Intel的CPU引入DDR5新型内存，因而其内存控制基体跟以往大不相同，你可以理解为了适应DDR5所带来的内部双通道高频数据高效交换，由CPU内部以前一个控制器，变成现在两个控制器，各自开出一条车道来与所对应的A通道内存条与B通道内存条，减少货物运输时间。但DDR5刚开始价格超贵，厂商需平缓过度DDR5时代，市场上有许多主板支持DDR4内存，12代CPU没变，但内存变了DDR4，虽然跟A通于B通货物运输时间减少了，但在货物到达总仓时（就像快递的某某总仓），两个主管询问哪件货物属于张先生的，哪些货物属于李先生的，主管们这个沟通的频率越低，延时越高，同理如果他们沟通频率越高，则延时就会变低，这就是所谓的为了提高CPU内部整体沟通频率(ring频率)，但提高RING频率后，12代CPU的小核心不可能也跟着大幅提高频率，例如小核心一般不能超过4.3G吧，否则你用什么电压与散热去维持CPU的稳定运行呢？ 所以有些超频内存的同学，竟然把小核心关闭了，来提高RING频率，这样来降低内存延时。像是把手掌砍下来踮脚，为了让自已站高一个头，意欲为何，不得而知！
2. Intel Gear模式，通常会有Gear1，Gear2，Gear4三种模式，DDR4会用到前两种模式，在IMC（内存控制器）里，Gear1代表与IMC同频1：1的关系；Gear2代表与IMC分频2：1的关系，Gear2可以让内存的超频支援大幅提升，但整个系统延时有所增加。
3. 第一时序，
【1】 CAS Latency（简称CL），地址延迟时间，是第一时序中的首要位置，通俗的理解是你在顺丰下单寄件，你得填写好你的住址，人也要在住址等着，好比你填了拿件地址广州大道北256号，你人却在大道北1024号，当快递员问你要件时，你才从大老远跑回家，时间都给你耽误了哥。
【2】 DRAM RAS to CAS Delay(简称tRCD) 行地址到列地址延迟，通俗理解是快递员到了你家附近，开始打电话给你了，因为他不熟悉你家附近环境门牌号，得找一下，于是跟你沟通了一轮，终于找到了入口与出口，总算拿到件了。
【3】 DRAM RAS Precharge Time（简称tRP）行地址预充电时间，通俗理解是你想寄件，物件一件一件地寄给一个卖家的动作，通常你第二次寄件不会手写卖家地址，因为你之前早就复制好同一个地址，在填写是预备好粘贴上去就可以了。看到这里，你们会觉得很奇怪，明明是tRP先发生的，为什么不是放在首要位置？ 因为现在的内存具有bank交叉操作和命令调配特性，内存并不会频繁在同一个Bank中对不同行地址进行操作，也就不会频繁使用tRP，所以tRP对内存性能影响并不大。同一个公司竟然分派了不同的快递员来取件发货，这快递公司服务已经超一流了。
【4】 DRAM RAS Active Time（简称tRAS）完成行与列地址激活的循环周期，通俗的理解是完成了上述的两步工作的总时间，快递员来取件你回家的时间+让快递员尽快找到你家小区及你家门牌的入口与出口所需要的总时间，言下之意，就是CL的数值+tRCD的数值=tRAS, 为了提高稳定性，通常两者相加后，会再+上2或3以上。例如CL是16，tRCD是19，则tras=36。
【5】 DRAM Command Rate(简称CR1T或2T)首命令速率，首命令速率意思是从选定bank地址之后，到可以发出首个行地址激活命令，所经过的时钟周期，1T需要一个时钟周期，2T需要两个时钟周期。通俗理解是快递员如果不断地找你家收件，那这个时钟一般不受到其他干扰，如果快递员要到不同的客户家收件（双面内存/多条内存插满），则这个时钟影响就较大了。所以收件时间的稳定性就会受理干扰。
4. 第二时序，只讲较为重点部分，这里也是指所谓的“小参”，收紧部分小参以及放宽部分小参能减少延时同时提高超频的稳定性，但受限于三大家生产商不同的颗粒型号，这些小参绝对不可一味照抄，你唯一能做的就是，根据主板厂商所提供的小参AUTO自动数值，去适量收紧它/放宽它。这里我就不打比喻了，在Intel平台，直接将游戏着重要调整的小参拿出来说一下。
【1】 DRAM RAS to RAS Delay(简称trrd-S，trrd-L) 连续激活两行地址所需要的等待时钟周期。因为trrd-S位于不同的BG地址，trrd-L位于同一个BG地址，因为trrd-S必须比trrd-L更短些。
【2】 DRAM Four Active Window（简称tFAW）, 是指在一个Bank中连续激活四个行地址所需等待时钟周期，如果内存频繁读写，往往需要连续开启大于或等于4个行地址，所以内存经常调用tFAW，这个值相当重要，特别是在玩网络游戏时，因新数据不断频繁加入，它的延时可以重大影响游戏帧数。需要注意的是，当你的trrd-L为某个数时，tFAW就是trrd-L乘以4的数，例如trrd-L是6，则tFAW至少应该是24，建议放宽到26，提高稳定性。
【3】 DRAM Row Refresh CycleTime(tRFC)，行地址刷新周期。对bank的甚至多个bank地址进行刷新所需要的时间，数值当然是越小越好了，但根据不同的生产厂颗粒，此项设置一般在一线主板大厂已调测好相对平稳的AUTO值，如果你一定要降低这个值 ，请多搜索相关颗粒运行数据，一般三星的B-die的值相当低，所以可以说三星B-die可以运行较低的延时，如果你的超频在第一时序稳定后，可以根据主板所提供的AUTO参考值，适当收紧，注意幅度不要过大，建议每次减10，从而摸清内存所在你的主板可发挥的潜力。
5.第三时序，这部分相对第二时序调整更为复杂，我感觉不到调整它后对游戏有些什么帮助，但在这里，如果你使用的正是美光C9BJZ，那么tRDRD-sg及tWRWR-sg(双重读取时钟与双重写入时钟) 建议设备为7，如果你是三星的B-die，可以设备为6。如果不稳定才以+1数来递增。
废话不再多说，我总共提供了两套时序，全部稳定，你喜欢用哪种，或你能超到哪一种，就用那种便是，一个是3733MHz C14-19-19-36 CR1，内存电压1.5v，第二时序只选AUTO，CR选1。 另一个是4000MHz C16-21-21-38 CR1，内存电压1.45v，第二时序有变化。一般图中会有绿字说明：
1. 开机按DEL键进入BIOS，恢复一次出厂设置重启，再次DEL进入BIOS，按F2进入Advanced Mode
2. 如有XMP请设置为Disabled,即禁用。找到System Memory Multiplier, 选择DDR4-4000
3. 找到Gear Mode，选择Gear 1模式
4. 找到Internal VCCSA，按下1.25v
5. 找到DRAM Voltage, 按下1.45v
6. 找到Advanced Memory Settings进入，找到Memory Channels Timing进入，分别填入数值：CAS Latency为16，tRCD为21，tRP为21，tRAS为38，（此时应该按下F10保存退出，可进入系统稳定过测试后，才再返回来，继续trrd_L为4，trrd_L为6，tfaw为26，Command Rate（tcmd）为1，F10保存退出）
7. 以是文字属于4000MHz C16-21-21-38 CR1的设置。
说明：
1.请更新最新BIOS版本，更新完毕后进入BIOS载入预设优化出厂设置，并且启用XMP，F10保存进入WINDOWS，才再重启进入BIOS，关掉XMP，然后正式开始内存超频之旅。
2.当你发现超频失败无法启动电脑，可拔掉电源线主机完全断电，一般普通主板按压主板电池卡扣位让电池弹起10秒，断电BIOS记忆体擦除旧数据，才还原安装好电池，通电开机。
3.除非确定你的CPU所超的频率绝对稳定，否则一律先将内存超频稳定后，才再超频其他硬件。这个做法可以更精准判断哪一项问题导致超频失败。
4.如有条件，请尽量使用独立显卡，并且BIOS里关掉集成显卡，此选项可增加发掘内存超频潜能。如果你属于喜欢到处加点电压那种人，建议临时拔掉机械硬盘，只保留系统固态硬盘更佳。
5.同一根内存，一线品牌主板厂对此内存也有不同的XMP参数预设值；同牌子不同系列的主板也有各自不同的超频能力，例如主板PCB层数，走线，供电用料，BIOS调校等等，总之，越贵的主板越会在内存超频上下功夫。请谨记，我行不一定你行，你更行我不一定跟得上你，所以处事要尽量客观谦逊。
6.内存有许多不同的颗粒，有人说三星B-Die更吃电压，确实。有人说美光C9不要长期超过1.45伏，胡扯！超频内存第一手法，先超电压。这篇介绍的是英睿达铂胜C9，首先电压直接定在1.5伏，如果这样你都心惊胆战，睡觉去吧，超频不适合你。这只不过是温热的电压，看图我压力测试直接用手摸内存。有些人还拿什么探温枪，你是不是来搞笑的嗯？
7.我的内存时序主板参数等，包括断电隔夜开机，经过长期测试验证稳定，为迎合大众，我特意使用两套不同频率与时序的作业，也提供了游戏实际对比图，给大家参考学习，方便大家因地制宜，改选另一套配置达到超频目的。
8.如果你是一个耐心的超频爱好者，在获取了内存XMP第一时序，第二时序主板上内存数据后（BIOS会有显示），应该在第一时序中第一项CL值开始填入你期待的数值，例如14，顺利启动电脑后，跑一次内存压力测试后再调节地二项tRCD值，依次类推，这个超频动作实际是又能摸清内存超频潜力，又可提高了超频效率。
9.至此，我提一下我的观点，给超内存的同学泼盆冷水：你都选了12代带K的CPU了，相信玩游戏的你，显卡也不会太差，至少也有个GTX1660S吧，玩些网游基本都60FPS以上了还不止，也就吃鸡热闹点，其他3A巨作我实在难以区分3600以上内存频率游戏中的区别，连关键的流畅画面考核标准1%LOW也区别不了，有这精力还不如去折腾一下显卡哩。
一些关于DDR4内存的相关认知要点：
1. 由于12代Intel的CPU引入DDR5新型内存，因而其内存控制基体跟以往大不相同，你可以理解为了适应DDR5所带来的内部双通道高频数据高效交换，由CPU内部以前一个控制器，变成现在两个控制器，各自开出一条车道来与所对应的A通道内存条与B通道内存条，减少货物运输时间。但DDR5刚开始价格超贵，厂商需平缓过度DDR5时代，市场上有许多主板支持DDR4内存，12代CPU没变，但内存变了DDR4，虽然跟A通于B通货物运输时间减少了，但在货物到达总仓时（就像快递的某某总仓），两个主管询问哪件货物属于张先生的，哪些货物属于李先生的，主管们这个沟通的频率越低，延时越高，同理如果他们沟通频率越高，则延时就会变低，这就是所谓的为了提高CPU内部整体沟通频率(ring频率)，但提高RING频率后，12代CPU的小核心不可能也跟着大幅提高频率，例如小核心一般不能超过4.3G吧，否则你用什么电压与散热去维持CPU的稳定运行呢？ 所以有些超频内存的同学，竟然把小核心关闭了，来提高RING频率，这样来降低内存延时。像是把手掌砍下来踮脚，为了让自已站高一个头，意欲为何，不得而知！
2. Intel Gear模式，通常会有Gear1，Gear2，Gear4三种模式，DDR4会用到前两种模式，在IMC（内存控制器）里，Gear1代表与IMC同频1：1的关系；Gear2代表与IMC分频2：1的关系，Gear2可以让内存的超频支援大幅提升，但整个系统延时有所增加。
3. 第一时序，
【1】 CAS Latency（简称CL），地址延迟时间，是第一时序中的首要位置，通俗的理解是你在顺丰下单寄件，你得填写好你的住址，人也要在住址等着，好比你填了拿件地址广州大道北256号，你人却在大道北1024号，当快递员问你要件时，你才从大老远跑回家，时间都给你耽误了哥。
【2】 DRAM RAS to CAS Delay(简称tRCD) 行地址到列地址延迟，通俗理解是快递员到了你家附近，开始打电话给你了，因为他不熟悉你家附近环境门牌号，得找一下，于是跟你沟通了一轮，终于找到了入口与出口，总算拿到件了。
【3】 DRAM RAS Precharge Time（简称tRP）行地址预充电时间，通俗理解是你想寄件，物件一件一件地寄给一个卖家的动作，通常你第二次寄件不会手写卖家地址，因为你之前早就复制好同一个地址，在填写是预备好粘贴上去就可以了。看到这里，你们会觉得很奇怪，明明是tRP先发生的，为什么不是放在首要位置？ 因为现在的内存具有bank交叉操作和命令调配特性，内存并不会频繁在同一个Bank中对不同行地址进行操作，也就不会频繁使用tRP，所以tRP对内存性能影响并不大。同一个公司竟然分派了不同的快递员来取件发货，这快递公司服务已经超一流了。
【4】 DRAM RAS Active Time（简称tRAS）完成行与列地址激活的循环周期，通俗的理解是完成了上述的两步工作的总时间，快递员来取件你回家的时间+让快递员尽快找到你家小区及你家门牌的入口与出口所需要的总时间，言下之意，就是CL的数值+tRCD的数值=tRAS, 为了提高稳定性，通常两者相加后，会再+上2或3以上。例如CL是16，tRCD是19，则tras=36。
【5】 DRAM Command Rate(简称CR1T或2T)首命令速率，首命令速率意思是从选定bank地址之后，到可以发出首个行地址激活命令，所经过的时钟周期，1T需要一个时钟周期，2T需要两个时钟周期。通俗理解是快递员如果不断地找你家收件，那这个时钟一般不受到其他干扰，如果快递员要到不同的客户家收件（双面内存/多条内存插满），则这个时钟影响就较大了。所以收件时间的稳定性就会受理干扰。
4. 第二时序，只讲较为重点部分，这里也是指所谓的“小参”，收紧部分小参以及放宽部分小参能减少延时同时提高超频的稳定性，但受限于三大家生产商不同的颗粒型号，这些小参绝对不可一味照抄，你唯一能做的就是，根据主板厂商所提供的小参AUTO自动数值，去适量收紧它/放宽它。这里我就不打比喻了，在Intel平台，直接将游戏着重要调整的小参拿出来说一下。
【1】 DRAM RAS to RAS Delay(简称trrd-S，trrd-L) 连续激活两行地址所需要的等待时钟周期。因为trrd-S位于不同的BG地址，trrd-L位于同一个BG地址，因为trrd-S必须比trrd-L更短些。
【2】 DRAM Four Active Window（简称tFAW）, 是指在一个Bank中连续激活四个行地址所需等待时钟周期，如果内存频繁读写，往往需要连续开启大于或等于4个行地址，所以内存经常调用tFAW，这个值相当重要，特别是在玩网络游戏时，因新数据不断频繁加入，它的延时可以重大影响游戏帧数。需要注意的是，当你的trrd-L为某个数时，tFAW就是trrd-L乘以4的数，例如trrd-L是6，则tFAW至少应该是24，建议放宽到26，提高稳定性。
【3】 DRAM Row Refresh CycleTime(tRFC)，行地址刷新周期。对bank的甚至多个bank地址进行刷新所需要的时间，数值当然是越小越好了，但根据不同的生产厂颗粒，此项设置一般在一线主板大厂已调测好相对平稳的AUTO值，如果你一定要降低这个值 ，请多搜索相关颗粒运行数据，一般三星的B-die的值相当低，所以可以说三星B-die可以运行较低的延时，如果你的超频在第一时序稳定后，可以根据主板所提供的AUTO参考值，适当收紧，注意幅度不要过大，建议每次减10，从而摸清内存所在你的主板可发挥的潜力。
5.第三时序，这部分相对第二时序调整更为复杂，我感觉不到调整它后对游戏有些什么帮助，但在这里，如果你使用的正是美光C9BJZ，那么tRDRD-sg及tWRWR-sg(双重读取时钟与双重写入时钟) 建议设备为7，如果你是三星的B-die，可以设备为6。如果不稳定才以+1数来递增。
