1产品概述
EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
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2规格环境与参数指标
2.1规格环境与参数指标
l 工作电压：三相五线制AC380V±10%，或单相三线制AC220V±10%；
l 电网频率：50Hz±1Hz；
l 海拔高度：海拔不超过1000m；
l 温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
l 工作环境温度：-5℃～40℃；
l 湿度：20%RH至90%RH (无凝露，湿球温度计温度：40℃以下)；
l 震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
l 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
2.2参数指标
测试条件
主要参数 测试范围 精度要求
集射极电压Vce 50～3300V 50~500V±2%±2V 500~1000V±2%±5V 1000～3300V±2%±10V
集射极电流Ic 10～400A 10～200A±2%±1A 200～400A±2%±2A
栅极电压Vge -15V～15V -15～+15V±1%±0.2V；可调
脉冲宽度tp 4μs～200μs 动态测试时需满足在脉宽条件下可得到稳定可测的波形
栅极电阻Rg 1~100R 可选择
负载电感值L 100-1000μH 100uH、200μH、500μH、1000μH可自动切换；相应感值需满足对应测试电流能力
测试参数
开通时间ton 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
开通延迟td(on) 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
上升时间tr、 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
开通能量Eon 1～5000mJ 0.1～10mJ±3%±0.1mJ 10～100mJ±3%±1mJ 100～500mJ±3%±5mJ
关断时间toff 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
关断延迟td(off) 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
下降时间tf 10～1000ns 10ns～100ns±2%±1ns 100ns～1us±2%±5ns
关断能量Eoff 1～500mJ 0.1～10mJ±3%±0.1mJ 10～100mJ±3%±1mJ 100～500mJ±3%±5mJ