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三维寻址模电ram，大幅提升了写入速度

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三维寻址模电ram，大幅提升了写入速度
IP属地:河北来自Android客户端1楼2020-08-25 09:35回复
    一般的模电ram都是二维寻址，导致其带宽巨大，因此写入的步骤是 先读取-转bin-替换掉相应地址的数据-转hex-写入
    IP属地:河北来自Android客户端2楼2020-08-25 09:37
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      2026-02-17 14:57:51
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      这个三维寻址使得带宽总是4bits。所以写入步骤只有 bin转hex-写入 就好了
      IP属地:河北来自Android客户端3楼2020-08-25 09:38
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        所以相比于常规模电ram这个实用得多
        既比数电小
        又比数电延迟低
        还是纯电路无活塞无投掷器无漏斗
        完全可以替代目前所有数电高压ram了
        IP属地:河北来自Android客户端4楼2020-08-25 09:42
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          红石吧不是人看的
          IP属地:湖北来自Android客户端5楼2020-08-27 01:07
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            同意楼上
            IP属地:辽宁来自iPhone客户端6楼2020-08-27 09:01
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              触瞎
              来自iPhone客户端7楼2020-08-27 11:32
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                大概是要重修红石了，退坑两年看的一脸懵
                IP属地:广东来自Android客户端9楼2020-09-19 09:30
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                  2026-02-17 14:51:51
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                  楼上发言作废。感觉数电RAM想写入快延迟低，体积必然爆炸，想高压，也不可能比模电小，唯一的优势就是在显示屏这类数电元件里面当寄存器了。也许太过片面，太过班门弄斧。感觉数电存储器除了RAM，还可以有别的路线，，例如我的路线。也许本质还是一样的。不知所云，也许是自己水平还没到那个地步。
                  IP属地:广东12楼2020-11-15 14:41
                  回复
                    @言出祸随😢 这吧能不能开个四级墙啊，我这一个水贴都t m遇到4个麦片哥了
                    IP属地:河北来自Android客户端17楼2020-11-20 08:55
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