WH长江存储
计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，规划总产能30万片/月，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。年产值将超过100亿美元。
长江存储一期工程于2016年年底开工，32层、64层存储芯片产品已实现量产。建成10万片月产能，计划2020年底满产，考虑到国外厂商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左右。
20200620 二期开工
技术规格：2019年9月，长江存储发布64层3D NAND闪存，2020年4月，再次发布128层3D NAND闪存，预计2020年年底至2021年年初实现量产。该产品已基本追平国际先进水平，其中型号X2-6070产品为业内首款128层QLC(每个存储单元可存储4bit数据)，可提供1.33Tb的单颗存储容量，具有当前全球已知型号的产品中最高存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2018年长江存储突破32层3D闪存，与国外差距3-4年；2019年其实现64层技术量产，与国外差距缩小至2年；今年4月，长江存储128层QLC 3D闪存研制成功，若128层年底实现量产，则与三星、海力士、美光等国外厂商技术差距缩小至1年
计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，规划总产能30万片/月，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。年产值将超过100亿美元。
长江存储一期工程于2016年年底开工，32层、64层存储芯片产品已实现量产。建成10万片月产能，计划2020年底满产，考虑到国外厂商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左右。
20200620 二期开工
技术规格：2019年9月，长江存储发布64层3D NAND闪存，2020年4月，再次发布128层3D NAND闪存，预计2020年年底至2021年年初实现量产。该产品已基本追平国际先进水平，其中型号X2-6070产品为业内首款128层QLC(每个存储单元可存储4bit数据)，可提供1.33Tb的单颗存储容量，具有当前全球已知型号的产品中最高存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2018年长江存储突破32层3D闪存，与国外差距3-4年；2019年其实现64层技术量产，与国外差距缩小至2年；今年4月，长江存储128层QLC 3D闪存研制成功，若128层年底实现量产，则与三星、海力士、美光等国外厂商技术差距缩小至1年
