越封锁越快，光刻机也是这样的。

一楼喂度娘

有消息称上海微电子将于今年12月下线首台采用ArF光源的可生产11纳米芯片的SSA800/10W光刻机(单次曝光28nm节点浸没光刻机)，采用NA 1.35透镜组，并搭载超精密磁悬浮双工件台和超纯水浸入系统。同时采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米。该光刻机有生产7nm制程的潜力（多次曝光）。该网友同时贴出SMEE的双工件台曝光系统的操作控制界面。同时还透露长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机，预计两年内可推出

不感兴趣

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根据以上媒体公开信息，国望光学、长春光机所、上海光机、科益虹源光电、中微半导体等在国产光刻机各项关键子系统在技术上已经攻关完成，推出相应的自主技术代替的商用产品是水到渠成的，我们可以推断该网友的信息基本可靠，可生产11纳米芯片的SSA800/10W光刻机年底推出技术上没问题。
5，华为自研EDA已进行7纳米验证。EDA软件，华为去年已经不能用国外产品了，但华为的芯片设计似乎没有受到影响，因此这个消息应该是没问题的。有人说海思用的是盗版，这是不可能的。华为只要和国内EDA厂商合作，推出自研EDA其实不是问题。我觉得关键是怎么和代工厂对接，现在看来问题已经解决。
总之，就目前的情况来看，使用了中芯国际的14nm工艺的海思麒麟710A已经投产，中芯的准7nm工艺也在推进，对华为来说，只要把今年撑过去，未来的中国半导体设备与国际先进水平的差距将越来越小（中芯准7nm技术明年拿下问题不大）

若属实就太好了!!!

希望越来越好

不好说啊，怎么样还得过些日子看吧

当然，目前更实际的是中芯国际的14纳米量产技术，全部替换成国产设备和国产原材料，这样就不怕老美封锁了。

楼主，你这误会也太大了吧。这种高精尖技术产品绝不是封锁之后几个月一两年就研究出来的，这么短的时间不可能从零做出这种高技术产品。这种东西一定是已经研发了好多年，终于在今年做出来能用、能商品化的产品了。

不感兴趣

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不是一蹴而就的，这些东西都研发积累很多年了，最近几年因为外界原因，加快了进度而已。

这个写写提振提振士气就行了，不要当真了。。。

大家都知道，芯片制造的一个重要部分是光刻机，目前世界级的光刻机制造商是荷兰ASML，而我国在芯片制造方面一直比较落后，其主要原因是我们在这方面的起步较晚。
近些年中国为了在芯片制造领域能够赶上ASML的步伐，两年前中芯国际花重金向荷兰ASML订购了一台EUV紫外线光刻机，然而两年过去了，ASML由于种种原因并没有向中国发货，这让我国芯片制造领域的发展受到了严重影响。
虽说这些年我国在光刻机领域取得了一些突破，但是也仅仅只有几家公司，可以说是少的可怜。
其中上海微电子就是其中一家，它的存在让中国早日能够打破芯片技术封锁带来了希望。

上海微电子在光刻机领域的究竟是一个怎样的存在呢？
上海微电子为什么会被称为国产光刻机的新型巨头呢？
下面从个观点给大家分析一下，如有不合理之处，还请大家多多指教：
第一，上海微电子公司对于前道光刻机、后道光刻机、制造LED/MEMS/功率器件的光刻机和制造TFT液晶屏的光刻都有研究，而且都取得了一定的成就。
第二，该公司用于封装芯片的后道光刻机，在国内占有率达到了80%，在国际上虽然比国内差一些，但也达到了40%的占有率。
第三，上海微电子的客户都是在世界上排名前十的封测大工厂。
第四，上海微电子公司在光刻机领域的专利达到了3000项之多，国内半导体设备厂商的综合排名中也在前5。

虽然上海微电子是光刻机领域的隐形巨头，但是与ASML公司的光刻机技术还是相关甚远。
据悉，ASML公司今年有望攻破6nm光刻机，而上海微电子公司目前只能提供用于生产280纳米、110纳米和90纳米工艺芯片的前道光刻机。
其实，我国对芯片领域研究的公司并不少，但是这些公司和上海微电子不同，上海微电子已经到了量产的阶段，而他们都还在停在实验室的阶段。
值得一提是，华中科技大学的相关团队研发出了了9纳米光刻机，但可惜的是这款光刻机只能用来微纳器件的三维制造，想要量产商用还要有投入更多的研究，还是有一段路要走的。

说到这里，可能就有很多网友会有疑问，之前看到过很多报道说我国的芯片技术已经可以生产几纳米的芯片了，为什么中国还在期待28纳米光刻机呢？
没错，我国的芯片技术确实得到了突破，但目前仅限于实验阶段，还未达到量产商用的水平。
另外，中国上海微电子要进行更高端光刻机研发是比较有优势的，现在已经在28纳米商用前道光刻机的研发上取得了重大的进展，很快将从90纳米跨越到28纳米量产商用，这个隐形巨头让我们看到了中国光刻机制造的希望。

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