最近，合肥长鑫储存科技公司官网信息显示：该公司的使用自主19nm制造工艺生产的DDR4内存芯片已经开始批量出货，进入销售阶段。从产品信息来看，长鑫公司国产的DDR4存储芯片单片容量8Gb，速率为2666Mbps，参数属于主流水平。
按照规划，长鑫存储公司还将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。在工艺方面，长鑫公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM，并计划再建两个晶圆厂来提高产量。（合肥长鑫是设计制造一体型公司，有自己的工厂）
按照规划，长鑫存储公司还将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。在工艺方面，长鑫公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM，并计划再建两个晶圆厂来提高产量。（合肥长鑫是设计制造一体型公司，有自己的工厂）
