FinFET技术研发不断向前推进:第一代FinFET已成功量产,四季度将贡献有意义的营收;第二代FinFET研发稳步推进,客户导入进展顺利。我们相信,中芯国际将全面受惠于市场向5G标准迁移带来的广泛商机,走出调整,重启成长。”
今年8月,中芯国际曾表示14nm FinFET已经进入客户风险量产阶段,当时已经有超过10个流片客户数量,预期该工艺今年底将贡献有意义的营收,而大规模出货预计会在2021年。
另外,12nm工艺也已经进入了客户导入阶段,预计年底会有几个客户进行流片。12nm相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。目前中芯国际正在就12nm与同一批14nm客户就行合作。
更令人期待的是,中芯国际更为先进的N+1技术平台(第二代FinFET工艺)也已经开始了客户导入,未来该工艺将应用于处理器、车用电子和人工智能领域。
今年8月,中芯国际曾表示14nm FinFET已经进入客户风险量产阶段,当时已经有超过10个流片客户数量,预期该工艺今年底将贡献有意义的营收,而大规模出货预计会在2021年。
另外,12nm工艺也已经进入了客户导入阶段,预计年底会有几个客户进行流片。12nm相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。目前中芯国际正在就12nm与同一批14nm客户就行合作。
更令人期待的是,中芯国际更为先进的N+1技术平台(第二代FinFET工艺)也已经开始了客户导入,未来该工艺将应用于处理器、车用电子和人工智能领域。


