胶水；三丧

没有集成，还是三星代工

三丧也很难翻车，当年苹果a9三丧不如台积电刚好那年810，820大翻车，，，835，845也都是三丧的比同时期960，970省电多了，，9820用8nm 的gpu能耗比都超7nm 980

胶水5g，三丧代工，翻车不至于，没台积电好而已

9825对比9820，三星7nmEUV翻车明显

事过境迁才在胡吹三星10nm,i8的面积为0.040um2，远远小于S8的0.049um2

另一方面是材料的选择，从EDS影像显示，两种10nm的FinFET成份组成是大同小异的，而且也没有出现跟以往不同的新材料，但是，i8在P-Fins的设计上有一个较独特的地方，我们发现了明显的锗(Ge)讯号出现在鳍片上，而且整整涵盖了三分之一的鳍片，意即i8直接将锗元素添加于P-Fins结构中；而对照S8的设计，在P-Fins结构的顶端也可观察到锗讯号，但是非常微弱，而且只占整体十分之一的鳍片长。
(在鳍片中添加锗能有效地提升电洞的迁移率)

i8与S8平行P-Fins方向上观察到闸极与SiGe部位的高角度环形暗场(HAADF)影像及其EDS mapping影像。我们可以因此推敲一些设计细节：i8所使用接触SiGe的金属触点W为多段设计，但S8却是一整块的W材料；另一方面，比较SiGe的大小面积，即可看到S8的SiGe相对面积较小，可能在制程的过程中有较大的SiGe损耗，这一点在i8中可以看到其SiGe整体结构优于S8的表现。

最后使用SEM观察整体SRAM金属联机的状况(图6)，在此可以清楚地看到i8在这个部份远远胜过S8，粗估M1至M11，i8的尺寸就比S8将近少了300nm，

不知道LPDDR5还要等几年

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你放心吧，三星代工，外挂基带，妥妥的

865性能不用担心的绝对安卓第一，担心的是价格跟功耗，这下三星小屏机难做了

明年麒麟1000暴打骁龙

好想买4G865啊 最好是散热好点的