p870tm-2080 刷写51m 200w vbios测试

配置如上
刷写方法 nvflash 具体方法可以参考http://tieba.baidu.com/p/6079861763 输入两次y后黑屏一段时间 实在不想等就强制关机 开机正常亮屏 可以看到gpu-z中vbios信息已经刷写成功 原版vbios版本号为90.04.52.00.1D

硅脂为7921 (这是升级之前的老图片 内存更换过)

time spy和furmark烤机数据正在准备中 先说下鲁大师 150w英伟达控制面板高性能的情况下跑分35w 刷vbios以后跑分36万 通过手动拉150mhz核心跑分来到38万

开启强冷的情况下time spy 默认跑分
因为渣渣9600k的影响总分不是很好看 这里对比150w时图形分10100增长了576分

跑time spy时的温度曲线 最高65度

第二次跑ts时手动拉150mhz跑分时报错 现在降低到140mhz再跑一次 用微星afterbunner检测显示 gpu频率最低在1980mhz和2070mhz之间浮动

手动超频140mhz 图形分来到了11008 相比150w默认提升900分 强冷情况下 温度最高63

单烤gpu开始 室温24度的情况下 开启强冷 根据HWiNFO64截图显示功耗已经解锁成功

随着时间推移,温度的话在0-3分钟逐步上升 最终稳定在了67度。

双烤下cpu功耗100w温度89 显卡温度最终稳定在68度 由于分体散热所以区别并不大。

下面实测战地5温度表现

默认情况下非裔大兵单机剧情中 频率一直稳定在1920mhz 1080p画质光追开最高 关闭模糊
风扇转速百分之70情况下温度68度 开启强冷后下降到63度。

稍微总结下 基本上解锁200w以后通过小拉频率性能提升在百分之10这样 温度比原来最多高10度 高负载下频率更加稳定

鲁大师分数容易受影响 看看就好了

@禁止沼泽淹死- 已验证你的结论是正确的 右边显存处确实硅脂垫没有贴合到导致无法过压力测试