回复：【技术帖】覆盖系统的发展及数字多点分布

从扇区配置、发射功率、覆盖能力、用户数等角度出发，TD-LTE站型宏基站、微基站、微微基站（又包括Femto和Nano基站）以及Relay四种基站参数主要对比如表1所示。

目前中国移动对于表1中的系列化TD-LTE站型均有需求。具体来说TD-LTE网络部署初期首先采用BBU+RRU架构的分布式宏基站产品进行广覆盖，然后引入一体化微基站（或微RRU）产品对宏站的覆盖盲区或热区进行补盲、补热覆盖；随着网络覆盖的完善及终端的普及，在TD-LTE网络部署的中期将出现较多的室内热点，此时有必要引入覆盖和容量能力相对较小、更具成本优势的微微基站产品进行室内热点的覆盖。当然对于无有线回传条件的站点，则需要考虑采用支持无线回传的Relay产品。

目前中国移动联合主流的TD-LTE基站厂家已经基本完成了宏站、微站及微微基站的站型规划工作，其中，宏站产品重点规划了8通道、2通道和单通道三种分布式宏站产品，微站产品已经规划2通道的一体化微站和分布式微站两种产品，微微基站已经完成2通道的家庭级Femto和企业级Femto（与Pico基站类似）两种产品的规划工作，并正在研究Relay及一体化室外宏站产品的规划

目前各基站厂商基本参照中国移动的站型规划要求进行TD-LTE基站产品的开发工作，各种站型的厂商支持情况大致如下。

宏站：主流厂商均已推出8/2/单通道的分布式宏站产品，信号带宽在初期支持20MHz的基础上，已经可以支持40MHz甚至50MHz。

微站：大部分主流厂商已具有明确的微站产品开发计划，部分厂商已经推出了一体化微站产品，或正在开发微RRU产品。

Femto基站：企业级Nano基站的开发热情高于家庭级Femto，由于商用SoC基带芯片刚刚成熟，预计2012年底部分厂商可以推出基于SoC方案的Femto产品。

Relay：3GPP的标准化工作已经基本完成，多家厂商已经开发了Relay演示样机，部分厂商已经开始Relay商用产品的研发工作，预计12年底将推出面向商用的Relay产品样机。

　　2012年开始，PC市场出现了持续下滑，导致英特尔在产能上出现过剩，晶圆代工厂利用率仅为60%。于是，英特尔开始加大了晶圆代工厂的对外开放。2013年之时英特尔的芯片代工厂将面向所有芯片企业开放。

　　不过，随后英特尔的开始大举进军移动市场，延缓了这一计划。英特尔本应利用自己高级半导体工艺的优势为英伟达、高通、苹果和德州仪器代工芯片，而不是自己搞移动芯片。不过，英特尔认为当时的重点是设计自己的产品，而非为竞争对手代工。

　　但是，在正式退出手机/平板芯片市场之后，英特尔便与其他的诸如高通、三星、联发科、英伟达等芯片厂商之间没有了直接竞争，于是英特尔开始希望将这些曾经的的竞争对手，转变为自己的晶圆代工业务的客户。

　　2016年英特尔与ARM达成协议，可以代工生产基于ARM Artisan Physical IP架构的晶圆芯片。这一合作将使得英特尔能够有能力为高通、苹果等基于ARM架构的移动芯片厂商代工芯片，随后LG将由英特尔代工生产其基于ARM架构的10nm移动芯片。

　　2017年英特尔除了推出自己全新的10nm FinFET工艺之外，还正式宣布对外开放其10nm FinFET工艺的代工，此外英特尔还宣布针对移动领域及物联网市场开放的22nm FFL工艺，而在此之前，英特尔的14nm FinFET代工业务也已经顺利开展。而英特尔此举也被外界认为是要全面进军代工市场与台积电、三星争夺市场。

　　英特尔最新的10nm制程工艺虽然比三星、台积电的10nm工艺推出时间虽然略晚，但是它的晶体管密度却达到了后者的两倍。此外，英特尔10nm的鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度等指标均领先于台积电和三星的10nm。

　　台积电以快速的成长速度成为了超过英特尔最大的代工厂。但是说台积电称霸晶圆代工还是太夸张了，半导体行业虽然技术就是硬实力，但是代工厂毕竟生产力有限，加上现在正值半导体发展的高潮，随着IoT发展，对芯片需求只会越来越高，代工厂的生产力很快就会不足。