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笔记本吧 关注:4,914,488贴子:88,433,370 【笔吧日报】第一千四百一十期 2017.12.12 周二

欢度双十二,大家都买了些神马?
趣闻可以at我进行投稿哦本期精彩内容:【新闻速递】喜大普奔!内存价格暴跌30% 闪存泡沫也碎了Intel正式发布银牌奔腾:6W超低功耗NVIDIA TITAN V性能大公开:1080Ti无地自容机械硬盘不景气:希捷宣布全球裁员 为节省成本NVIDIA新核弹TITAN V挖矿超神:2倍于AMD Vega 64Intel 10nm工艺引入昂贵材料钴替代铜:三星/台积电侧目DisplayHDR 1.0标准发布:极品HDR显示器有章可循 【笔吧趣闻】Metabox 1066版本直播开箱老爸非要去电脑城买电脑他和我不在一个城市,我要怎么说服他或猪王大忽悠啊,前些天推荐的战神K690E还好当时忍住了 【往期链接】【修正补充】
喜大普奔!内存价格暴跌30% 闪存泡沫也碎了
最近一个多月的时间内,尤其是双11之后,内存价格开始普遍下滑,而且幅度相当夸张,最高甚至接近30%。好消息是,闪存也终于要迎来降价了。日前,集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季度需求端面临传统淡季冲击,包括平板电脑、笔记本电脑、中国大陆品牌为主的智能手机需求量较2017年第四季下跌将超过15%,服务器需求相对持平。与此同时,NAND闪存供应商仍在不断提升3D NAND闪存的产能已经良品率,位元(Bit)产出增长较今年第四季度高5%。结合需求下降,预计NAND闪存市场将在2018第一季度进入供过于求的状态。DRAMeXchange指出,2018年第一季度,固态硬盘、闪存颗粒以及晶片价格将出现翻转走跌。时间回到2017年上半年,第一季度,各大闪存厂都在进行2D NAND闪存向3D NAND闪存演进,导致超能下跌,加上国产手机品牌华为、OPPO、vivo等备货需求强劲,进一步加剧了NAND闪存的缺货状况,包括EMMCM、UFS闪存、消费级SSD以及企业级SSD价格都有至少10%以上的涨幅。到了第二季度,国产手机品牌表现不及预期,NAND闪存价格涨幅因此较第一季度趋缓。进入2017年下半年,在第三季度苹果iPhone X上市以及服务器市场需求的带动下,整体供应缺口进一步扩大,但NAND闪存经过一轮又一轮的上涨之后,已经达到了OEM厂商所能接受的上限,所以价格调涨空间受限。第四季度,服务器市场需求有所放缓,仅剩下苹果新机需求较为郊外旺盛,加上3D NAND闪存一直在扩产,市场趋向供需平衡状态,闪存价格持平或小涨。2018年第一季度,NAND闪存重新进入供过于求市况,终端产品有望进行降价,手机厂商采用UFS闪存、笔记本厂商采用PCIe接口SSD的意愿将得到加强。
机械硬盘不景气:希捷宣布全球裁员 为节省成本
机械硬盘也好,固态硬盘也罢,两者谁想把对方完全吃掉,都不太容易。现在希捷宣布,将在全球裁员大约500人,而此举可以为他们在2018财年计入5000万美元的税前支出,而裁员节省下来的成本将推动希捷年化成本节省大约6400万美元。按照今年第四财季的统计,希捷预计出货3800万块机械硬盘,西数约3930万块,比起双雄巅峰时期的5000多万块差了很远,主要原因就是SSD的冲击。相比SSD来说,机械硬盘在容量上有着巨大的优势,但销量、利润的双双下滑,还是让厂商日子无比难过。今年1月,希捷宣布关闭中国苏州工厂。在希捷去年计划全球裁减的6500人中,逾2000人来自苏州工厂。
Intel 10nm工艺引入昂贵材料钴替代铜:三星/台积电侧目Intel的10nm已经一拖再拖了,他曾经在2012年表示会在2015年推出第一款10nm工艺产品,然而现在已经2017年年底了,都没有见到采用10nm工艺的产品上市,其实14nm工艺已经拖够久的了。
图片来源:IEDM2017然而这慢长的等待最终会带来好处的,Computerbase表示Intel的10nm工艺中会使用到钴这种金属代替部分的铜,而其他半导体厂目前实用钴这种材料的程度都没有Intel这么高,这使Intel的10nm工艺有了更多的卖点。使用钴新材料后会带来更多好处,作为几乎所有半导体公司的供应商的Applied Materials三年前曾说过钴这种材料是互联网15年来最大的变革,然而要把这种材料投入实用实在太耗时间了,太过昂贵而且也不是必须的。不过Globalfoundries其实已经在High-K Metal Gate工艺和铜工艺上使用了钴这种材料很多年了,只不过现在的14nm工艺的技术是来源于三星的,不知道有没有使用到钴这种材料,AMD现在的14nm处理器在频率上明显低于那些28nm工艺的产品。
图片来源:Applied MaterialsIntel希望用10nm工艺表现他依然是半导体行业的领先者,虽然说他现在在纸面上的纳米竞赛已经输了,然而Intel的14nm工艺明显是最好的,甚至要优于10nm LP和12nm LPP,这也是为什么Intel够胆把自家的10nm与别家的7nm相提并论。Intel的10nm采用钴代替铜作为下部互联层可使电迁移性能提高1000倍,同时层间通孔电阻应该会减少一半,这必然会大大增加芯片的耐用性,另外Intel会把钴用在数个不同的地方,包括触点、M0和M1层的金属,M2到M5层则是主要用铜不过表面用钴覆盖。那么Intel的10nm到底什么时候来呢?Intel表示今年内会放出10nm工艺的Cannon Lake,然而今年就剩下19天了,其实Intel现在应该可以生产10nm的芯片了,然而良品率可能比较低。因为这10nm一下子加太新东西进去了,第一代10nm工艺的Cannon Lake可能比较短命,第二代的Ice Lake明年下半年应该就会出来,Cannon Lake可能会成为像今年的Kaby Lake一样的短命鬼。
居然是第一


