长江存储一期厂房提前封顶
9月28日，总建筑面积达52.4万平方米的国家存储器基地项目长江存储（一期）一号生产及动力厂房于实现提前封顶，而这举动离该项目2016年12月30日正式开工建设仅过去9个月的时间。
长江存储项目一期投资240亿美元，占地面积1968亩，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，一座总部研发大楼，以及其他若干配套建筑，其中核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
按照规划，新基地预计将于2018年正式投入使用，主要研发生产3D NAND Flash产品，达产后每月将生产30万片12寸晶圆，年产值将超过100亿美元，预计到2020年全部达产后可实现每月100万片的产能。
据中国电子报报道，长江存储计划于今年年底推出32层堆叠的3D NAND闪存样品，然后继续进行64层产品的开发。长江存储全球执行副总裁高启全也曾指出，64层3D NAND Flash产品将在2019年量产。
长江存储（一期）一号生产及动力厂房封顶的消息对正在大力发展集成电路存储芯片产业的中国而言无疑是一个振奋人心的消息，这意味着中国离实现摆脱国外存储厂商垄断的目标又进了一步。