英特尔10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的栅极间距

以10nm为例，英特尔10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的栅极间距，实现了业内最高密度的晶体管集成。英特尔的10nm制程技术能够达到每平方毫米超过1亿枚晶体管的集成，而三星为5160万，台积电为仅为4800万，差距非常明显。
相对于台积电、三星来说，英特尔14nm/10nm制程技术的各项指标均超越另外两家同级别制程工艺。在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元面积等几个主要参数中，英特尔的14nm制程工艺与三星目前的10nm相当。
看来还是有技术的英特尔