首先对于大多数电路而言,电能都转化为机械能等其他能量,只有纯电阻电路电能才完全转换成热能。
当接触不良时,接触点相当于一个纯电阻,在该点处电能转换为热能;而其他串联的负载处,电能依然是转换成其他能量。
对于一个电路而言,温升是允许的,但这种温升基于大多数电能转换为其他能的基础上建立的。所以电路中由其内部电阻产生的温升很低,电路完全可以通过自行散热解决。而当接触不良时,虽然随着接触电阻的上升电压和电流都会下降,但是电能转化成的热能在该点聚集,从而导致该点处的温度超出电路的允许温度。
或者从另一个角度上说,当接触不良时,整个电路的温度都会下降,但是在接触点处的温度缺会上升。虽然从热能总量上计算还是下降的,但该点的温度升高到电路无法承受的地步了。
你的问题就是把整体和局部混淆了,整体上看是下降的,但局部上说是上升的!