三星最近发表声明称EVO固态硬盘老文件读取缓慢与TLC闪存单元的“电压漂移”有关,由于三星的“Three-bit NAND”对电压变化特别敏感,因此随着时间的推移,为纠错所进行的“补偿”操作将会极大地影响读取性能。
换句话说就是说三星新的所谓3D芯片很可能存在严重的漏电率偏高的问题,其电压降的很快,而TLC对电压很敏感(三状态,压差小),所以长时间不用,数据就很难读取了。幸好这个问题发现及时,两、三个月电压就降到警戒线,需要纠错,放上一年半载数据肯定没了。
三星给出的方案所谓电压平衡技术,其实就是定期对所有芯片加一下电压,这确实能解决部分问题,但是如果长时间放着不开机,仍然很可能会丢数据!!!
我觉得三星应该考虑召回,毕竟大多数人不会一直关注这方面的信息,丢了数据都不知道怎么丢的,那就悲剧了。
换句话说就是说三星新的所谓3D芯片很可能存在严重的漏电率偏高的问题,其电压降的很快,而TLC对电压很敏感(三状态,压差小),所以长时间不用,数据就很难读取了。幸好这个问题发现及时,两、三个月电压就降到警戒线,需要纠错,放上一年半载数据肯定没了。
三星给出的方案所谓电压平衡技术,其实就是定期对所有芯片加一下电压,这确实能解决部分问题,但是如果长时间放着不开机,仍然很可能会丢数据!!!
我觉得三星应该考虑召回,毕竟大多数人不会一直关注这方面的信息,丢了数据都不知道怎么丢的,那就悲剧了。









