回复：芯片设计制造科普，纯技术贴，第二发！！！

好

好东西顶个

刘明

留……………………！错落的时间，是谁颠覆的流年，我用笔尖在纸上轻轻勾勒你的素颜。默默留恋，别开生面的四季容颜，愿追过千年，轮回成天。

再说说晶体管。1947年12月16日，威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和晶体管之父，william shockle沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。人类正式进入了半导体时代。

先来说说半导体和PN结，常见的半导体有硅和锗等。以硅为例，学过高中化学的应该知道，硅是4价元素。纯净的硅会形成晶格，每一个硅原子与其周围4个硅原子形成4个共价键。共价键就是两个原子共享两个电子。然而在热运动下，有些电子被激发，成为自由电子。同时在原来的共价键上留下一个空穴。这些自由电子和空穴是半导体导电的基础。纯净的半导体称为本征半导体。在本征半导体中，自由电子的数量和空穴的数量是一样的。而且其浓度比较小，所以本征半导体导电性不好。

在本征半导体中掺入少量的杂质元素，就能形成N型半导体和P型半导体。N型半导体是在本征半导体中掺入5价元素。由于5价元素最外层有5个电子，少量的5价元素在半导体中也会形成如本征半导体一样的4个共价键。此时5价元素就多了一个电子，这个电子会被释放成自由电子。掺杂的浓度决定了自由电子的浓度。在N型半导体中，自由电子的浓度远大于空穴的浓度，所以说自由电子是多子，空穴是少子。而P型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其所有的特性正好与N型半导体相反。

纯粹的N型半导体和P型半导体只是增强了半导体的导电性，没有太大意义。而把N型半导体和P型半导体放到一起，就产生了奇妙的现象。在N型半导体中，多子是自由电子，其浓度远大于少子；而在P型半导体中，多子是空穴，其浓度同样远大于少子。多子是半导体的导电主力，如果没有多子参与，半导体的导电性很差。
在将N型半导体和P型半导体放到一起后，N区的自由电子进入P区，中和掉了其中的空穴；P区的空穴进入N区，中和掉了其中的自由电子。在交界面附近，形成了一个耗尽层。耗尽层中多子被中和，自由电子和空穴浓度相同，和本征半导体类似，耗尽层导电性差。
如果外接电压，使P区电位高于N区。此时PN结正向偏置，P区和N区的多子在电场作用下向PN结移动，使耗尽层变薄，耗尽层多子浓度增加。PN结表现出良好的导电性。
如果外接电压，使P区电位低于N区。此时PN结反向偏置，P区和N区的多子在电场作用下原理PN结，使耗尽层变厚，耗尽层阻碍了电流。PN结表现出不导电性。
以上就是晶体二极管的原理，和电子二极管一样。虽然原理不同，但最终都表现出了单向导电性。

原理你们都不爱看，扯点别的。海思有一个top 1的项目，非常牛逼。这个项目要仿真资源、要验证资源、要后端进度什么的都是走VIP通道，海思总裁何庭波每每都是亲自过问。大家可以猜猜这是什么项目，稍后公布答案

今天天气不错，晚上游泳去！照片是由华为P6自动挡拍摄。