反相击穿（指一次击穿）是因为半导体晶格中原本固定在轨道上的电子在外电场作用下脱离了轨道，也就是说，如果外加电压达到某个特定值，就可以把晶格中原本固定在轨道上的电子拉出来，成为一个自由电子和一个空穴，达到这个特定值后，只要外电压有很微小的增加，被从轨道上拉出来的电子就会成几何级增加，电流会急速增大。到电流急速增大的时候，就只有两种情况：一种是外部不能提供太大的电流，因而电压也无法有较大幅度的增加，另一种情况是外部可以提供很大的电流，电压上升后电流太大以致发热太大将晶格烧毁（这叫二次击穿）。
实际上电压不是完全不变，而是电流变化可以很大但电压变化很小。

回复2楼:貌似前后矛盾，并且也没说明原因的

回复2楼:貌似前后矛盾，并且也没说明原因的

我没感觉哪里有矛盾，你再仔细看看。

实际上电压不是完全不变，而是电流变化可以很大但电压变化很小,跟前面的两种情况不一样啊

没有不一样，电流有比较大的变化的时候，电压会有很小的变化——这必须是在二次击穿之前。

通过N多实验瞎摸发现的现象,可以利用.
至于原理,就是类似“为什么长颈鹿的脖子为什么那么长,是因为它的头离身上比较远”的解释。

稳压管的电阻也不算高。小型的也有几百毫瓦的功耗。在低碳运动的现在是一耗电大户

那是可承受的功耗,设计时必须避免它的实际功耗超过允许值而毁坏.

因为低压时主要是隧穿电流，此时的导通电流 和 电压的大小无关；而和禁带宽度有关。
所以此时增加电压，电流不会增大。
高压的时候，价带被挤压到费米能级附近，此时增加电压就会增大电流。
而且在高电场作用下，很可能深层电子也被激发，产生雪崩击穿。。。。。。2L讲的就是雪崩击穿，和齐纳击穿没有关系的。
这个你做过wafer你就知道了，齐纳二极管的掺杂浓度，还有图案形状都是很奇怪的。就是为了保证深能级掺杂，还有使内部电场分布尽可能均匀。

稳压管的伏安特性决定它的工作模式，单独稳压管是不能工作的，必须配合它的外部电阻，或电源内阻

真空稳压管和晶体稳压管原理差不多！都是击穿！