关于电场中高斯定理微分形式与介质分界面边界条件之间的关系。。。【物理吧】

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关于电场中高斯定理微分形式与介质分界面边界条件之间的关系。。。

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在静电场中D的散度等于自由电荷体密度。。。然后边界条件中D的法向分量只差为交界面自由电荷面密度。。。这两者之间有什么差别和联系么？如何统一的。。。

谢谢大家先。。。

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1楼2011-11-27 16:30回复

书上不是很详细嘛……

IP属地:江苏

2楼2011-11-27 16:31

不感兴趣

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什么书呢。。。大神耐心点解释下啦。。。

3楼2011-11-27 17:15

随便哪本电动力学

4楼2011-11-27 17:22

555。。。好吧我换个问法。。。这两个东西说的是不是一个事。。。？

5楼2011-11-27 17:25

本质上是一回事。

IP属地:北京

6楼2011-11-27 17:25

你指的哪个事……一个研究空间中电场规律，一个研究边界条件

7楼2011-11-27 17:26

就是问这边界条件是不是这电场规律在边界的体现。。。如何体现的。。。D的散度和法向分量，自由电荷体密度和分界面自由电荷面密度之间啥关系。。。

8楼2011-11-27 17:31

不感兴趣

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是，就像公式里那么体现的……规律就是那个公式

9楼2011-11-27 17:32

回复9楼:那这两个公式如何从一个推到令一个呢？

来自Android客户端10楼2011-11-27 18:03

参考任意一本《电动力学》书。

IP属地:北京

11楼2011-11-27 18:16

没有那书啊。。。这样说吧，D 的法向分量和D的散度直接什么关系？不一样的吧

12楼2011-11-28 17:37

和微分形式没法连起来，跟积分形式可连起来

来自掌上百度13楼2011-11-28 17:41

可否详细说说？好像有点感觉了。。。

14楼2011-11-28 18:29

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