回复：该用何种标准看待龙芯迁移全国内产线

转自渊源子：
对自主化/国产化设备、工艺要有信心！3C3000、尤其是3A6000流片成功即证明
是继24-25年从意法整体迁移到国内二次流片（保底芯片不断供）、这是第二次整体全系的迁移，迁移到到高自主化工艺流片，可喜可贺可敬！
28nm自主化率80%-90%，14nm、7nm更低，国产半导体设备加油！国产光刻机加油！
高自主化缺点：1、初期不太成熟、需要较长时间磨合（9A1000）；2、初期可能会出现各种状况，良率、稳定性不如标准工艺；3、初期成本高企；4、对芯片设计公司的设计能力和自主性有较高要求，比如购买ip、购买指令集ARM授权，就很难磨合适配，或需授权方配合适配高自主化工艺。
自主化优点：1、大势所趋，以后不论国内国外芯片设计公司都会陆续迁移到国产设备工艺上，以中国世界第一的工业化制造能力，以后只会便宜又好用，复制家电、汽车路线；
2、国家战略意志推动扶持，如补贴新能源车一样！
3、高自主化工艺只要用起来，随着国产半导体设备的成熟壮大，形成正向循环，会越磨合越顺、必将在服务质量、速度、能力全面超越外国半导体设备！仅仅是需要用起来！需要时间改进迭代！
4、我相信不久之后，国产半导体设备工艺必将在流片时间、良率、稳定性以及成本，必将全面超越外国半导体设备、加速国产自主化进程。
因此，高自主化工艺流片宜早不宜迟，作为高举自主化大旗的龙芯一马当先、舍我其谁！
坚定看好国产半导体设备

换工艺比设计新芯片要相对容易些，毕竟已经有流片成功的产品了。