根据知识库中的信息，AM5主板新增的"Bank Refresh Mode"功能主要作用如下：
内存超频优化：根据华硕发布的Beta BIOS更新说明（2026年1月30日），该功能"主要与内存超频方面相关"，是为提升内存超频能力而设计的新特性。
提升内存性能：参考内存刷新技术原理，Bank Refresh Mode很可能采用了类似DDR5的"same bank refresh"技术理念，允许在刷新部分存储单元的同时，其他单元可以继续进行正常读写操作，从而减少内存刷新对系统性能的影响。
减少性能损耗：传统DRAM刷新需要定期对所有存储单元重新充电以维持数据完整性，这会占用系统资源。Bank Refresh Mode通过优化刷新策略，可以降低这种性能损耗，据类似技术（如DDR5的same bank refresh）可提升性能达6%-10%。
配合AGESA 网页链接 更新：该功能是华硕在将AGESA微码版本更新至(pre)1.3.0.0时新增的特性，作为AMD平台内存支持和系统稳定性优化的一部分。

这玩意儿看起来不像是帮助超频更像是提升能效的，有没有愿意吃这口螃蟹的bro

技嘉新bios也有

不知道啥用

有链接吗 翻官网没翻到

正常刷新模式[Normal Refresh]：所有的内存单元都会在一定的时间间隔内被刷新。REFab
细粒度刷新模式[Fine Granularity Refresh]：在该模式下，将内存分为多个小的区域，每个区域都可以独立进行刷新。

tREFI and tRFC Parameters
对于DDR5 SDRAM的最大平均刷新间隔（tREFI）的要求，这个要求取决于刷新模式设置（正常或FGR）以及设备的外壳温度（Tcase）。
当刷新模式设置为正常刷新模式时，发出REFab命令（tRFC1），并且Tcase<=85°C，最大平均刷新间隔（tREFI1）就是tREFI。
当刷新模式设置为FGR模式时，发出REFab命令（tRFC2）并且Tcase<=85°C，最大平均刷新间隔（tREFI2）就是tREFI1 /2。

Normal Refresh下的tREFI最大时间是 5*tREFI1。
Fine Granularity Refresh下的tREFI最大时间是 9*tREFI2

我根据JEDEC规范总结了一下，两种内存刷新方式下的tREFI推荐取值：
1.Normal 模式（即Agesa 1.3.0.0更新新刷新模式之前，AMD一直以来采用的方式）刷新周期为3,900ns
故tREFI取值推荐为：3900*[你的内存频率]/2000*[整数倍]
2.FGR 模式（即amd新增的刷新模式，Intel则一直采用FGR模式）刷新周期为1950ns
故tREFI取值推荐为：1950*[你的内存频率]/2000*[整数倍]

华硕烧U那个🍉解决了没

等正式版看看有无游戏性能提升，没有我也懒得更了

华硕AMD板子抛去ayw和apex剩下的想上高频纯摸奖的。再怎么软件优化也白搭，板子本身布线比不了微星技嘉，高频下不管是信号完整度还是清晰度都不行，隔壁两家8200+猛猛干，ASUS四槽板子用户一上一个不知声，我大吹雪怎么都稳不了8000条子8200的expo开机秒黄灯，换成狗嘉那个X3D Pro iceexpo一次亮机

给我看兴奋了，然后mpower更新bios发现好像没这功能