【明佳达电子、星际金华】长期供应原装IC——RGS80TSX2DHRC11（IGBT晶体管）、STTH30L06W二极管、IPC100N04S5L-1R5（汽车 MOSFET 晶体管）。
【规格参数详情】
RGS80TSX2DHRC11：1200V，80A，IGBT晶体管，沟槽型场截止，TO-247-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值：555 W
开关能量：3mJ（导通），3.1mJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：104 nC
25°C 时 Td（开/关）值：49ns/199ns
测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：198 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247N
STTH30L06W：二极管——600V，30A TURBO 2超高速高压整流器，DO-247-2
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
电流 - 平均整流 (Io)：30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 30 A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：90 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：25 µA @ 600 V
安装类型：通孔
封装/外壳：DO-247-2（直引线）
供应商器件封装：DO-247
工作温度 - 结：175°C（最大）
IPC100N04S5L-1R5：N通道MOSFETs——40V，OptiMOS™-5汽车 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：115W（Tc）
工作温度：-55°C ~175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-34
封装/外壳：8-PowerTDFN
【规格参数详情】
RGS80TSX2DHRC11：1200V，80A，IGBT晶体管，沟槽型场截止，TO-247-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值：555 W
开关能量：3mJ（导通），3.1mJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：104 nC
25°C 时 Td（开/关）值：49ns/199ns
测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：198 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247N
STTH30L06W：二极管——600V，30A TURBO 2超高速高压整流器，DO-247-2
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
电流 - 平均整流 (Io)：30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 30 A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：90 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：25 µA @ 600 V
安装类型：通孔
封装/外壳：DO-247-2（直引线）
供应商器件封装：DO-247
工作温度 - 结：175°C（最大）
IPC100N04S5L-1R5：N通道MOSFETs——40V，OptiMOS™-5汽车 MOSFET 晶体管，PG-TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：115W（Tc）
工作温度：-55°C ~175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-34
封装/外壳：8-PowerTDFN
